Transistor - FET, MOSFET - Array

FDS9958-F085

BAGIAN SAHAM: 26954

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8858CZ

BAGIAN SAHAM: 153147

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.6A, 7.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8660-TL-H

BAGIAN SAHAM: 177854

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

FDS8960C

BAGIAN SAHAM: 111818

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

BAGIAN SAHAM: 147558

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

BAGIAN SAHAM: 117536

NTZD3154NT1G

BAGIAN SAHAM: 148850

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDC6312P

BAGIAN SAHAM: 122807

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

BAGIAN SAHAM: 118152

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

BAGIAN SAHAM: 126305

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5853NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 90449

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

NTUD3170NZT5G

BAGIAN SAHAM: 153569

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMFD4C87NT1G

BAGIAN SAHAM: 29744

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS8978

BAGIAN SAHAM: 143107

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTZD5110NT1G

BAGIAN SAHAM: 185466

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 294mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDG6322C

BAGIAN SAHAM: 124499

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

HUFA76413DK8T-F085

BAGIAN SAHAM: 2586

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD5121NT1G

BAGIAN SAHAM: 179833

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 295mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDPC8012S

BAGIAN SAHAM: 47700

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 26A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

MCH6661-TL-W

BAGIAN SAHAM: 182202

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5873NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 71856

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTJD4105CT1G

BAGIAN SAHAM: 180528

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS4935BZ

BAGIAN SAHAM: 185680

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDME1024NZT

BAGIAN SAHAM: 131909

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1023PZ

BAGIAN SAHAM: 100824

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8958B

BAGIAN SAHAM: 194401

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT3G

BAGIAN SAHAM: 94178

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTJD4158CT1G

BAGIAN SAHAM: 159746

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

EFC6612R-TF

BAGIAN SAHAM: 157184

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS6990AS

BAGIAN SAHAM: 162854

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 1mA,

NTJD5121NT2G

BAGIAN SAHAM: 197174

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 295mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDS6982AS

BAGIAN SAHAM: 164073

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1028NZ

BAGIAN SAHAM: 179878

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC4C002NLTDG

BAGIAN SAHAM: 85433

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 1mA,

HUFA76407DK8T-F085

BAGIAN SAHAM: 3322

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMC8200S

BAGIAN SAHAM: 148692

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,