Transistor - FET, MOSFET - Array

FW276-TL-2H

BAGIAN SAHAM: 3348

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 1mA,

NVMD6N03R2G

BAGIAN SAHAM: 2901

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6601-TL-E

BAGIAN SAHAM: 168759

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

NTQD6866R2G

BAGIAN SAHAM: 2711

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTUD3128NT5G

BAGIAN SAHAM: 2747

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3181PZTAG

BAGIAN SAHAM: 2807

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDY4000CZ

BAGIAN SAHAM: 130404

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA, 350mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6318P

BAGIAN SAHAM: 123017

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8667-TL-HX

BAGIAN SAHAM: 2888

EFC4618R-P-TR

BAGIAN SAHAM: 2908

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8653-S-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2924

MCH6603-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2889

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

FDMS9620S

BAGIAN SAHAM: 127765

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, 10A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EMH2417R-TL-H

BAGIAN SAHAM: 156902

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDW2511NZ

BAGIAN SAHAM: 2697

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9947

BAGIAN SAHAM: 2668

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4001NT1

BAGIAN SAHAM: 2735

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDS6993

BAGIAN SAHAM: 2762

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, 6.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4105CT4G

BAGIAN SAHAM: 2731

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT1G

BAGIAN SAHAM: 2674

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMFD4C86NT3G

BAGIAN SAHAM: 29372

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTJD4158CT2G

BAGIAN SAHAM: 2806

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTHD4401PT3

BAGIAN SAHAM: 2756

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FQS4901TF

BAGIAN SAHAM: 139071

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 225mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS4885C

BAGIAN SAHAM: 2726

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 250µA,

HUF76407DK8T

BAGIAN SAHAM: 2709

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHD3100CT1

BAGIAN SAHAM: 2734

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ECH8662-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2834

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

FDQ7238AS

BAGIAN SAHAM: 2841

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A, 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTQD6866R2

BAGIAN SAHAM: 2733

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

EFC4618R-TR

BAGIAN SAHAM: 2913

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard,

SSD2007ASTF

BAGIAN SAHAM: 2740

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FD6M033N06

BAGIAN SAHAM: 2812

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 73A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS6912

BAGIAN SAHAM: 99723

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDM2509NZ

BAGIAN SAHAM: 2731

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTUD3127CT5G

BAGIAN SAHAM: 2739

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,