Transistor - FET, MOSFET - Array

FDD8426H

BAGIAN SAHAM: 2797

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, 10A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2G

BAGIAN SAHAM: 2776

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6892AZ

BAGIAN SAHAM: 2717

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS3601

BAGIAN SAHAM: 2704

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6301N_D87Z

BAGIAN SAHAM: 3287

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD4401NT4G

BAGIAN SAHAM: 2719

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6303N_D87Z

BAGIAN SAHAM: 2711

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9957

BAGIAN SAHAM: 3327

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6982S

BAGIAN SAHAM: 2774

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3600S

BAGIAN SAHAM: 63274

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FW216A-TL-2W

BAGIAN SAHAM: 153552

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

ECH8601M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2899

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

HUFA76413DK8T

BAGIAN SAHAM: 2732

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMD2C02R2G

BAGIAN SAHAM: 2750

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVDD5894NLT4G

BAGIAN SAHAM: 89660

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NVMFD5853NWFT1G

BAGIAN SAHAM: 90403

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

NTHD4401PT1

BAGIAN SAHAM: 2644

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDZ2553N

BAGIAN SAHAM: 2739

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9933BZ

BAGIAN SAHAM: 5427

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW9926A

BAGIAN SAHAM: 2756

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2415-TL-E

BAGIAN SAHAM: 3310

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDPC8011S

BAGIAN SAHAM: 43392

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 27A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTJD4105CT4

BAGIAN SAHAM: 2730

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2516NZ

BAGIAN SAHAM: 2695

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8961

BAGIAN SAHAM: 2685

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLJD2104PTBG

BAGIAN SAHAM: 2768

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 800mV @ 250µA,

ECH8660-S-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2959

FDS6982

BAGIAN SAHAM: 2700

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8659-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2892

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

FDQ7236AS

BAGIAN SAHAM: 2900

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A, 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SSD2025TF

BAGIAN SAHAM: 2716

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

MMDF2C03HDR2

BAGIAN SAHAM: 2708

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A, 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

HUFA76404DK8T

BAGIAN SAHAM: 2700

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 62V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NDH8304P

BAGIAN SAHAM: 2758

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

MCH6604-TL-E

BAGIAN SAHAM: 142874

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

NTJD1155LT1

BAGIAN SAHAM: 2754

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,