Transistor - FET, MOSFET - Array

MCH6602-TL-E

BAGIAN SAHAM: 191190

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDS6898A_NF40

BAGIAN SAHAM: 2814

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8852H

BAGIAN SAHAM: 2661

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FW811-TL-E

BAGIAN SAHAM: 3294

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 1mA,

VEC2616-TL-W-Z

BAGIAN SAHAM: 199667

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NTHD3100CT3G

BAGIAN SAHAM: 2772

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTZD3156CT2G

BAGIAN SAHAM: 2761

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2507N

BAGIAN SAHAM: 2689

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2501N

BAGIAN SAHAM: 2746

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508PB

BAGIAN SAHAM: 2726

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDZ2554PZ

BAGIAN SAHAM: 2723

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS8858H

BAGIAN SAHAM: 2706

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3156CT5G

BAGIAN SAHAM: 2782

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT3G

BAGIAN SAHAM: 166888

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3604AS

BAGIAN SAHAM: 3375

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

NTJD2152PT2G

BAGIAN SAHAM: 2773

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC6602R-A-TR

BAGIAN SAHAM: 185435

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS3912

BAGIAN SAHAM: 2754

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC6617R-A-TF

BAGIAN SAHAM: 135371

NTHD4401PT1G

BAGIAN SAHAM: 2836

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9953A

BAGIAN SAHAM: 2676

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

FDS3812

BAGIAN SAHAM: 2733

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FDG6320C_D87Z

BAGIAN SAHAM: 2690

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8651R-R-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2871

FDJ1028N

BAGIAN SAHAM: 2716

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMA1029PZ

BAGIAN SAHAM: 178279

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P_F077

BAGIAN SAHAM: 2788

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6812A

BAGIAN SAHAM: 2711

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6302P

BAGIAN SAHAM: 2666

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD4154ZR2

BAGIAN SAHAM: 2660

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTTD1P02R2

BAGIAN SAHAM: 2729

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.45A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

NTJD4105CT2

BAGIAN SAHAM: 2725

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW813-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2907

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

MMDF1N05ER2

BAGIAN SAHAM: 2640

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4G

BAGIAN SAHAM: 2775

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3119CTAG

BAGIAN SAHAM: 2878

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,