Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

1HP04CH-TL-W

1HP04CH-TL-W

BAGIAN SAHAM: 100908

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

Wishlist.
1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

BAGIAN SAHAM: 117115

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

Wishlist.
2N7000-D75Z

2N7000-D75Z

BAGIAN SAHAM: 99

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
2SK4094-1E

2SK4094-1E

BAGIAN SAHAM: 20693

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SJ661-1E

2SJ661-1E

BAGIAN SAHAM: 57846

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Wishlist.
2SK3746-1E

2SK3746-1E

BAGIAN SAHAM: 15517

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
2SK3703-1E

2SK3703-1E

BAGIAN SAHAM: 40945

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
2SJ652-1E

2SJ652-1E

BAGIAN SAHAM: 33065

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
2SK3745LS-1E

2SK3745LS-1E

BAGIAN SAHAM: 18892

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
2SK3747-1E

2SK3747-1E

BAGIAN SAHAM: 15610

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
2SK4177-DL-1E

2SK4177-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 30646

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 57287

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Wishlist.
2N7000BU_T

2N7000BU_T

BAGIAN SAHAM: 2253

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
2SK4066-DL-1EX

2SK4066-DL-1EX

BAGIAN SAHAM: 2250

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SK4065-DL-1EX

2SK4065-DL-1EX

BAGIAN SAHAM: 2210

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

BAGIAN SAHAM: 2203

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.
2SJ652-1EX

2SJ652-1EX

BAGIAN SAHAM: 2120

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.
2SK3816-DL-1EX

2SK3816-DL-1EX

BAGIAN SAHAM: 2164

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.
2SK3703-1EX

2SK3703-1EX

BAGIAN SAHAM: 2124

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.
2SJ661-DL-1EX

2SJ661-DL-1EX

BAGIAN SAHAM: 2140

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.
2SK4125-1EX

2SK4125-1EX

BAGIAN SAHAM: 2103

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
2SK4098FS

2SK4098FS

BAGIAN SAHAM: 2085

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.
2SK4125-1E

2SK4125-1E

BAGIAN SAHAM: 6248

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
2SK536-MTK-TB-E

2SK536-MTK-TB-E

BAGIAN SAHAM: 198740

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V,

Wishlist.
2SK4099LS-1E

2SK4099LS-1E

BAGIAN SAHAM: 1876

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
2SK4124-1E

2SK4124-1E

BAGIAN SAHAM: 6267

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
2SK4087LS-1E

2SK4087LS-1E

BAGIAN SAHAM: 1869

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
2SK4088LS-1E

2SK4088LS-1E

BAGIAN SAHAM: 1874

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
2SK4066-DL-1E

2SK4066-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 1810

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SK4085LS-1E

2SK4085LS-1E

BAGIAN SAHAM: 1812

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
2SK4066-1E

2SK4066-1E

BAGIAN SAHAM: 1849

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SK3820-DL-1E

2SK3820-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 1839

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.
2SK4065-DL-1E

2SK4065-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 1813

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SK3748-1E

2SK3748-1E

BAGIAN SAHAM: 10717

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.
2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

BAGIAN SAHAM: 1843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
2N7002WST1G

2N7002WST1G

BAGIAN SAHAM: 1836

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Wishlist.