Transistor - FET, MOSFET - Array

NTHD5902T1

BAGIAN SAHAM: 2641

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDZ2553NZ

BAGIAN SAHAM: 2698

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTHD2102PT1

BAGIAN SAHAM: 2736

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT2

BAGIAN SAHAM: 2687

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDR8305N

BAGIAN SAHAM: 2685

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTHD5904T1

BAGIAN SAHAM: 3342

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA,

NTJD2152PT1

BAGIAN SAHAM: 3331

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD6N03R2

BAGIAN SAHAM: 2644

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-HX

BAGIAN SAHAM: 2893

NTUD3171PZT5G

BAGIAN SAHAM: 2770

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHD5903T1G

BAGIAN SAHAM: 2841

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA,

NDS9933

BAGIAN SAHAM: 2913

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD2C02R2

BAGIAN SAHAM: 3292

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDY3001NZ

BAGIAN SAHAM: 2778

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9933

BAGIAN SAHAM: 2763

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2

BAGIAN SAHAM: 2669

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

ECH8672-TL-H

BAGIAN SAHAM: 3295

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

FDC6320C

BAGIAN SAHAM: 111333

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6660-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2880

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 136 mOhm @ 1A, 4.5V,

EMH2407-S-TL-HX

BAGIAN SAHAM: 3321

NTJD4401NT1

BAGIAN SAHAM: 2700

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD3158CT2G

BAGIAN SAHAM: 2856

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, 820mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS4935A

BAGIAN SAHAM: 147695

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMFD4C87NT3G

BAGIAN SAHAM: 32594

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS9926A

BAGIAN SAHAM: 151006

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9934C

BAGIAN SAHAM: 179792

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8655R-R-TL-H

BAGIAN SAHAM: 144107

NTJD4001NT1G

BAGIAN SAHAM: 105829

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTJD4152PT1G

BAGIAN SAHAM: 195187

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 880mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9945

BAGIAN SAHAM: 124416

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5853NLT1G

BAGIAN SAHAM: 113880

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

FW4604-TL-2W

BAGIAN SAHAM: 128054

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6A, 10V,

CPH6635-TL-H

BAGIAN SAHAM: 124851

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 400mA, 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDS8958A-F085

BAGIAN SAHAM: 21554

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5875NLT3G

BAGIAN SAHAM: 175639

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5873NLT1G

BAGIAN SAHAM: 73807

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,