Transistor - FET, MOSFET - Array

FDS8926A

BAGIAN SAHAM: 2702

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDW2502P

BAGIAN SAHAM: 2769

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2508P

BAGIAN SAHAM: 2776

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H-F085A

BAGIAN SAHAM: 2940

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6612R-A-TF

BAGIAN SAHAM: 2936

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8652-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2893

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTHD4102PT3G

BAGIAN SAHAM: 2764

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI9936DY

BAGIAN SAHAM: 2776

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NDC7002N_SB9G007

BAGIAN SAHAM: 2756

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 510mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FW906-TL-E

BAGIAN SAHAM: 2911

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

VEC2315-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2838

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V,

EMH2314-TL-H

BAGIAN SAHAM: 198673

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

NTLJD3183CZTBG

BAGIAN SAHAM: 2772

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHC5513T1G

BAGIAN SAHAM: 148927

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVJD5121NT1G

BAGIAN SAHAM: 163473

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 295mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6606-TL-E

BAGIAN SAHAM: 2897

EFC6611R-TF

BAGIAN SAHAM: 136094

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTHD3100CT1G

BAGIAN SAHAM: 110314

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDS8958

BAGIAN SAHAM: 2722

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C_F077

BAGIAN SAHAM: 2752

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.9A, 4.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P

BAGIAN SAHAM: 3318

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H_F085

BAGIAN SAHAM: 2811

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

USB10H

BAGIAN SAHAM: 2674

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2857

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V,

MCH6613-TL-E

BAGIAN SAHAM: 167978

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDG6313N

BAGIAN SAHAM: 2667

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

BAGIAN SAHAM: 36648

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

BAGIAN SAHAM: 2796

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

BAGIAN SAHAM: 2747

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 410mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

BAGIAN SAHAM: 103434

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2854

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

BAGIAN SAHAM: 2797

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

BAGIAN SAHAM: 2775

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

BAGIAN SAHAM: 134119

NSTJD1155LT1G

BAGIAN SAHAM: 2852

ECH8659-M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2889

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,