Transistor - FET, MOSFET - Array

FDY2001PZ

BAGIAN SAHAM: 2782

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD4401NT2G

BAGIAN SAHAM: 2745

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6000NZ

BAGIAN SAHAM: 2733

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLJD4150PTBG

BAGIAN SAHAM: 2781

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

FDG6322C_D87Z

BAGIAN SAHAM: 2704

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTL4502NT1

BAGIAN SAHAM: 2702

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

ECH8601M-C-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2940

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V,

NTJD4152PT1

BAGIAN SAHAM: 2693

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 880mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9936

BAGIAN SAHAM: 2706

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6601R-A-TR

BAGIAN SAHAM: 185411

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NDS9959

BAGIAN SAHAM: 2628

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

NTGD3149CT1G

BAGIAN SAHAM: 2762

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMJ1023PZ

BAGIAN SAHAM: 2762

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

SI9955DY

BAGIAN SAHAM: 2721

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FW907-TL-E

BAGIAN SAHAM: 2854

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A, 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

NTJD4001NT2G

BAGIAN SAHAM: 2721

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTHD4502NT1

BAGIAN SAHAM: 2711

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDR8508P

BAGIAN SAHAM: 2666

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FW707-TL-E

BAGIAN SAHAM: 2866

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8A, 10V,

FDW2510NZ

BAGIAN SAHAM: 2700

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8333C

BAGIAN SAHAM: 2682

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDM3300NZ

BAGIAN SAHAM: 2686

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6000NZ_F077

BAGIAN SAHAM: 2747

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8602M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2823

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

EMH2409-TL-H

BAGIAN SAHAM: 2859

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

NTND31015NZTAG

BAGIAN SAHAM: 120579

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NDS9958

BAGIAN SAHAM: 2715

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EMH2308-TL-H

BAGIAN SAHAM: 186625

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

NDS9933A

BAGIAN SAHAM: 2707

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS6894AZ

BAGIAN SAHAM: 2716

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS4559-F085

BAGIAN SAHAM: 5411

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDW2520C

BAGIAN SAHAM: 2720

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FD6M043N08

BAGIAN SAHAM: 2778

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

MCH6605-TL-E

BAGIAN SAHAM: 2963

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

ECH8654-TL-HQ

BAGIAN SAHAM: 2956

FDMC3300NZA

BAGIAN SAHAM: 2769

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,