Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
TPC8018-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8018-H(TE12LQM)

BAGIAN SAHAM: 679

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
TPCA8A02-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A02-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 6139

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
TPC6006-H(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6006-H(TE85L,F)

BAGIAN SAHAM: 613

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1.9A, 10V,

Wishlist.
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8A02-H(TE12L,Q)

BAGIAN SAHAM: 6153

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
TPC8115(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8115(TE12L,Q,M)

BAGIAN SAHAM: 662

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.
SSM6J206FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J206FE(TE85L,F

BAGIAN SAHAM: 122160

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
SSM6K211FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K211FE,LF

BAGIAN SAHAM: 118254

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
TPC6107(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6107(TE85L,F,M)

BAGIAN SAHAM: 696

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Wishlist.
TPCA8011-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8011-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 702

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wishlist.
TPCA8023-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8023-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 617

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
SSM6P16FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P16FE(TE85L,F)

BAGIAN SAHAM: 122091

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.
TK60D08J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK60D08J1(Q)

BAGIAN SAHAM: 605

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
TPC8035-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8035-H(TE12L,QM

BAGIAN SAHAM: 724

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK55D10J1(Q)

BAGIAN SAHAM: 607

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 27A, 10V,

Wishlist.
TPC8033-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8033-H(TE12LQM)

BAGIAN SAHAM: 654

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.
TPH4R003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R003NL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 177522

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
TK15A60U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A60U(STA4,Q,M)

BAGIAN SAHAM: 19386

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
TPC6109-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6109-H(TE85L,FM

BAGIAN SAHAM: 580

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
TPH5R906NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5R906NH,L1Q

BAGIAN SAHAM: 101405

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
TPN2R703NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R703NL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 157904

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 22.5A, 10V,

Wishlist.
TPH3R203NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R203NL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 152151

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 23.5A, 10V,

Wishlist.
TPN1R603PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1R603PL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 133183

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
TPN4R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R712MD,L1Q

BAGIAN SAHAM: 127241

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V,

Wishlist.
TPW1R005PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R005PL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 58868

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Wishlist.
TPH7R506NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH7R506NH,L1Q

BAGIAN SAHAM: 117819

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
TPH4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R008NH,L1Q

BAGIAN SAHAM: 56308

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
TPCA8051-H(T2L1,VM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8051-H(T2L1,VM

BAGIAN SAHAM: 50520

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
TPHR6503PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 89887

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
TPH1R204PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R204PL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 127090

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.24 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
TPHR9203PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9203PL,L1Q

BAGIAN SAHAM: 87586

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Wishlist.
TPN7R506NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN7R506NH,L1Q

BAGIAN SAHAM: 186783

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.
TPW4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPW4R008NH,L1Q

BAGIAN SAHAM: 87538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 116A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
TPCF8104(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8104(TE85L,F,M

BAGIAN SAHAM: 9727

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
TPCF8B01(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8B01(TE85L,F,M

BAGIAN SAHAM: 9844

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V,

Wishlist.
TPCF8A01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8A01(TE85L)

BAGIAN SAHAM: 9829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
TPCF8101(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8101(TE85L,F,M

BAGIAN SAHAM: 6036

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.