Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
SSM6K202FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K202FE,LF

BAGIAN SAHAM: 167951

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 4V,

Wishlist.
TPCA8010-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8042(TE12L,Q,M)

BAGIAN SAHAM: 758

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8113(TE12L,Q)

BAGIAN SAHAM: 625

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8051-H(TE12L,Q)

BAGIAN SAHAM: 764

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
SSM6J216FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J216FE,LF

BAGIAN SAHAM: 13269

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist.
TPCA8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8005-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 644

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
TPCA8105(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8105(TE12L,Q,M

BAGIAN SAHAM: 711

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
TPCA8036-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8036-H(TE12L,Q

BAGIAN SAHAM: 729

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 19A, 10V,

Wishlist.
TPC8014(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

BAGIAN SAHAM: 630

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
TPCA8008-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 655

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
TPCA8012-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8012-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 634

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK50P04M1(T6RSS-Q)

BAGIAN SAHAM: 185151

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
TPCP8003-H(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8003-H(TE85L,F

BAGIAN SAHAM: 798

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.1A, 10V,

Wishlist.
TPC8036-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8036-H(TE12L,QM

BAGIAN SAHAM: 6159

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
TPCA8103(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8103(TE12L,Q,M

BAGIAN SAHAM: 630

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N15FE(TE85L,F)

BAGIAN SAHAM: 164036

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.
TPC8021-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

BAGIAN SAHAM: 614

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
TPCA8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8003-H(TE12LQM

BAGIAN SAHAM: 635

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
TPC8026(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8026(TE12L,Q,M)

BAGIAN SAHAM: 726

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
TPC8022-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8022-H(TE12LQ,M

BAGIAN SAHAM: 687

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.
TPCA8A01-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

BAGIAN SAHAM: 677

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8038-H(TE12L,Q)

BAGIAN SAHAM: 677

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
TPCP8001-H(TE85LFM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8001-H(TE85LFM

BAGIAN SAHAM: 692

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 3.6A, 10V,

Wishlist.
TPCA8A04-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A04-H(TE12L,Q

BAGIAN SAHAM: 747

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.
TPCA8031-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8031-H(TE12L,Q

BAGIAN SAHAM: 612

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
TPCF8102(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8102(TE85L,F,M

BAGIAN SAHAM: 637

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK70D06J1(Q)

BAGIAN SAHAM: 6092

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J213FE(TE85L,F

BAGIAN SAHAM: 116856

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
TPC8031-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8031-H(TE12LQM)

BAGIAN SAHAM: 703

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
TPCP8005-H(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8005-H(TE85L,F

BAGIAN SAHAM: 736

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
TPC8032-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8032-H(TE12LQM)

BAGIAN SAHAM: 631

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

BAGIAN SAHAM: 616

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
TK5P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P60W,RVQ

BAGIAN SAHAM: 90358

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
TK8P60W5,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8P60W5,RVQ

BAGIAN SAHAM: 102262

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
TK20J60U(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20J60U(F)

BAGIAN SAHAM: 12228

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.