Transistor - FET, MOSFET - Array

Rumah
Kategori Produk
Produk Semikonduktor Diskrit
Transistor - FET, MOSFET - Array

APTM120H140FT1G

Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

BAGIAN SAHAM: 1785

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

BAGIAN SAHAM: 1187

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100A13DG

BAGIAN SAHAM: 505

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 6mA,

Untuk Wishlist.

APTC60VDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

BAGIAN SAHAM: 1155

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

BAGIAN SAHAM: 858

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

BAGIAN SAHAM: 728

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120TAM12CTPAG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

BAGIAN SAHAM: 63

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

BAGIAN SAHAM: 799

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 89A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

BAGIAN SAHAM: 1635

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

BAGIAN SAHAM: 860

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

BAGIAN SAHAM: 1954

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

BAGIAN SAHAM: 880

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM242G

BAGIAN SAHAM: 951

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

BAGIAN SAHAM: 440

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 163A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM120DU15G

BAGIAN SAHAM: 383

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

APTC60DDAM35T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

BAGIAN SAHAM: 1490

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

BAGIAN SAHAM: 401

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10TAM19FPG

BAGIAN SAHAM: 905

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

BAGIAN SAHAM: 622

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

BAGIAN SAHAM: 814

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

BAGIAN SAHAM: 825

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

BAGIAN SAHAM: 874

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 89A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

BAGIAN SAHAM: 1737

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

BAGIAN SAHAM: 517

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 6mA,

Untuk Wishlist.

APTMC60TLM14CAG

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

BAGIAN SAHAM: 121

Tipe FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 219A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

BAGIAN SAHAM: 485

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 372A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120AM12CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

BAGIAN SAHAM: 202

Tipe FET: 2 N Channel (Phase Leg), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Untuk Wishlist.

APTC60TAM21SCTPAG

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

BAGIAN SAHAM: 341

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 116A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.6V @ 6mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

BAGIAN SAHAM: 772

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

BAGIAN SAHAM: 1322

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120TAM17CTPAG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

BAGIAN SAHAM: 81

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 147A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

BAGIAN SAHAM: 2039

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

BAGIAN SAHAM: 808

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

BAGIAN SAHAM: 635

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

BAGIAN SAHAM: 726

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

BAGIAN SAHAM: 866

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 208A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

3600

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»