Transistor - FET, MOSFET - Array

ALD1105PBL

BAGIAN SAHAM: 23483

Tipe FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 10.6V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910MAL

BAGIAN SAHAM: 33453

ALD1116SAL

BAGIAN SAHAM: 27725

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 10.6V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1µA,

AO8801AL

BAGIAN SAHAM: 3040

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO4611

BAGIAN SAHAM: 164048

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4807

BAGIAN SAHAM: 101238

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7810

BAGIAN SAHAM: 162685

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6816

BAGIAN SAHAM: 188992

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO7801

BAGIAN SAHAM: 167978

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO4842

BAGIAN SAHAM: 129329

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO6602_DELTA

BAGIAN SAHAM: 2963

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, 100 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOC3870A

BAGIAN SAHAM: 2965

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO4813L

BAGIAN SAHAM: 3042

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO4818BL

BAGIAN SAHAM: 2997

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6884L

BAGIAN SAHAM: 3348

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO8804L

BAGIAN SAHAM: 2971

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AON7804_102

BAGIAN SAHAM: 3350

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO6604L_001

BAGIAN SAHAM: 3006

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4801HL

BAGIAN SAHAM: 2966

AO4807_101

BAGIAN SAHAM: 2977

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO3415B

BAGIAN SAHAM: 2994

AOC3870

BAGIAN SAHAM: 2989

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOC3860A

BAGIAN SAHAM: 3008

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6978

BAGIAN SAHAM: 167457

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A, 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AOC4810

BAGIAN SAHAM: 3009

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate,

AO5804E

BAGIAN SAHAM: 3032

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AUIRF7103Q

BAGIAN SAHAM: 3052

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7309QTR

BAGIAN SAHAM: 108112

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7343QTR

BAGIAN SAHAM: 94872

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AUIRF7303QTR

BAGIAN SAHAM: 101171

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 100µA,

APTM120H57FTG

BAGIAN SAHAM: 3119

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

BAGIAN SAHAM: 3087

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 99A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

BAGIAN SAHAM: 3001

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

BAGIAN SAHAM: 2944

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

BAGIAN SAHAM: 2948

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 104A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

BAGIAN SAHAM: 3387

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,