Transistor - FET, MOSFET - Array

Rumah
Kategori Produk
Produk Semikonduktor Diskrit
Transistor - FET, MOSFET - Array

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

BAGIAN SAHAM: 261

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

BAGIAN SAHAM: 446

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 278A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

BAGIAN SAHAM: 2107

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

BAGIAN SAHAM: 139

Tipe FET: 2 N Channel (Phase Leg), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V (1.7kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

BAGIAN SAHAM: 1065

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

BAGIAN SAHAM: 381

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 208A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

BAGIAN SAHAM: 433

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 317A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

BAGIAN SAHAM: 940

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 139A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

BAGIAN SAHAM: 1470

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

BAGIAN SAHAM: 1719

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

BAGIAN SAHAM: 1728

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

BAGIAN SAHAM: 599

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

BAGIAN SAHAM: 489

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

BAGIAN SAHAM: 743

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

BAGIAN SAHAM: 1759

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

BAGIAN SAHAM: 248

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

BAGIAN SAHAM: 545

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

BAGIAN SAHAM: 688

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

BAGIAN SAHAM: 820

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 278A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

BAGIAN SAHAM: 1479

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

BAGIAN SAHAM: 1300

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

BAGIAN SAHAM: 1022

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

BAGIAN SAHAM: 2362

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

BAGIAN SAHAM: 667

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

BAGIAN SAHAM: 173

Tipe FET: 2 N Channel (Phase Leg), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 143A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM120A20DG

BAGIAN SAHAM: 538

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 6mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

BAGIAN SAHAM: 293

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

BAGIAN SAHAM: 251

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 74A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 15mA,

Untuk Wishlist.

APTM50DDAM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

BAGIAN SAHAM: 1269

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

APTC60DDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

BAGIAN SAHAM: 1114

Tipe FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

BAGIAN SAHAM: 1965

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

BAGIAN SAHAM: 553

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 6mA,

Untuk Wishlist.

APTC60DDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

BAGIAN SAHAM: 1722

Tipe FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100H18FG

BAGIAN SAHAM: 404

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

BAGIAN SAHAM: 784

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

BAGIAN SAHAM: 537

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 104A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

3600

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»