Transistor - FET, MOSFET - Array

Rumah
Kategori Produk
Produk Semikonduktor Diskrit
Transistor - FET, MOSFET - Array

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

BAGIAN SAHAM: 400

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 495A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

APTM10DSKM09T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

BAGIAN SAHAM: 1457

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 139A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

BAGIAN SAHAM: 1133

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

APTML602U12R020T3AG

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

BAGIAN SAHAM: 485

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

BAGIAN SAHAM: 1289

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

BAGIAN SAHAM: 748

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 104A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

BAGIAN SAHAM: 856

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 175A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

BAGIAN SAHAM: 162

Tipe FET: 2 N Channel (Phase Leg), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 295A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

Untuk Wishlist.

APTC60DDAM70T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

BAGIAN SAHAM: 2258

Tipe FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

BAGIAN SAHAM: 1478

Tipe FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

BAGIAN SAHAM: 558

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 139A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

APTM100DSK35T3G

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

BAGIAN SAHAM: 1267

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

BAGIAN SAHAM: 1093

Tipe FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

BAGIAN SAHAM: 1492

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

BAGIAN SAHAM: 809

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

BAGIAN SAHAM: 757

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

BAGIAN SAHAM: 379

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 78A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM20DUM05G

BAGIAN SAHAM: 536

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 317A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

BAGIAN SAHAM: 731

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

BAGIAN SAHAM: 766

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 99A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

BAGIAN SAHAM: 767

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

BAGIAN SAHAM: 533

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V (1kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

BAGIAN SAHAM: 1743

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

BAGIAN SAHAM: 448

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 99A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

BAGIAN SAHAM: 2026

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

BAGIAN SAHAM: 1204

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

BAGIAN SAHAM: 712

Tipe FET: 2 N Channel (Phase Leg), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

BAGIAN SAHAM: 306

Tipe FET: 4 N-Channel, Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 147A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 30mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

BAGIAN SAHAM: 1671

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

BAGIAN SAHAM: 461

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 5mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

BAGIAN SAHAM: 396

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

BAGIAN SAHAM: 936

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

BAGIAN SAHAM: 423

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

BAGIAN SAHAM: 488

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 495A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 10mA,

Untuk Wishlist.

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

BAGIAN SAHAM: 196

Tipe FET: 2 N Channel (Phase Leg), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V (1.7kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

Untuk Wishlist.

APTC60VDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

BAGIAN SAHAM: 1797

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Untuk Wishlist.

3600

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»