Transistor - FET, MOSFET - Array

AO4822L_101

BAGIAN SAHAM: 2926

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4822AL

BAGIAN SAHAM: 2937

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4822AL_102

BAGIAN SAHAM: 2930

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4821L

BAGIAN SAHAM: 2889

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 850mV @ 250µA,

AO4822_101

BAGIAN SAHAM: 2919

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4818BL_101

BAGIAN SAHAM: 2886

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4818L

BAGIAN SAHAM: 2884

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4812L_101

BAGIAN SAHAM: 2974

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4812L

BAGIAN SAHAM: 2904

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4812_101

BAGIAN SAHAM: 2947

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4807L

BAGIAN SAHAM: 2938

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4806L

BAGIAN SAHAM: 2910

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4803L

BAGIAN SAHAM: 2914

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

BAGIAN SAHAM: 2939

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

BAGIAN SAHAM: 2963

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

BAGIAN SAHAM: 2906

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

BAGIAN SAHAM: 2971

AO4801AL

BAGIAN SAHAM: 2897

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

BAGIAN SAHAM: 2928

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

BAGIAN SAHAM: 2903

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

BAGIAN SAHAM: 3349

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

BAGIAN SAHAM: 2973

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

BAGIAN SAHAM: 2888

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4613_001

BAGIAN SAHAM: 2944

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6971

BAGIAN SAHAM: 2884

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4952

BAGIAN SAHAM: 190149

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

APTMC60TLM55CT3AG

BAGIAN SAHAM: 222

Tipe FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

BAGIAN SAHAM: 166

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

BAGIAN SAHAM: 420

Tipe FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

BAGIAN SAHAM: 647

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 59A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

BAGIAN SAHAM: 686

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

BAGIAN SAHAM: 2914

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

BAGIAN SAHAM: 3376

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Super Junction, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

BAGIAN SAHAM: 2888

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 52A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

BAGIAN SAHAM: 2940

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

BAGIAN SAHAM: 2898

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 154A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2.5mA,