Transistor - FET, MOSFET - Array

AON3613

BAGIAN SAHAM: 2846

Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON7902

BAGIAN SAHAM: 2909

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 13A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON7820

BAGIAN SAHAM: 2905

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6922

BAGIAN SAHAM: 2854

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A, 31A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.7V @ 250µA,

AON6918

BAGIAN SAHAM: 2899

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, 26.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

BAGIAN SAHAM: 2864

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.1A, 16A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6908A

BAGIAN SAHAM: 160676

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A, 17A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON5810

BAGIAN SAHAM: 135258

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AON5802B

BAGIAN SAHAM: 192395

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON4807

BAGIAN SAHAM: 2870

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON4605

BAGIAN SAHAM: 121859

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2880

BAGIAN SAHAM: 2900

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2800

BAGIAN SAHAM: 2829

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

AOD607

BAGIAN SAHAM: 2889

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO8818

BAGIAN SAHAM: 2886

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AOC2802

BAGIAN SAHAM: 2855

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate,

AO8804

BAGIAN SAHAM: 2865

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6801A

BAGIAN SAHAM: 2890

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AO4830

BAGIAN SAHAM: 2895

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 250µA,

AO4821

BAGIAN SAHAM: 189745

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 850mV @ 250µA,

AO4613

BAGIAN SAHAM: 2910

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4924

BAGIAN SAHAM: 2854

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7932

BAGIAN SAHAM: 2904

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A, 8.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON7900

BAGIAN SAHAM: 2883

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 13A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AO8807

BAGIAN SAHAM: 115236

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 850mV @ 250µA,

AUIRF9952Q

BAGIAN SAHAM: 2919

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7379Q

BAGIAN SAHAM: 2916

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7342Q

BAGIAN SAHAM: 3348

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7341Q

BAGIAN SAHAM: 2859

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7319Q

BAGIAN SAHAM: 2903

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7313Q

BAGIAN SAHAM: 2913

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7316Q

BAGIAN SAHAM: 5424

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7304Q

BAGIAN SAHAM: 2891

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7309Q

BAGIAN SAHAM: 2875

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7303Q

BAGIAN SAHAM: 2880

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 100µA,

APTJC120AM13VCT1AG

BAGIAN SAHAM: 2840