Transistor - FET, MOSFET - Array

AOP607

BAGIAN SAHAM: 3275

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AOP609

BAGIAN SAHAM: 2816

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AOP605

BAGIAN SAHAM: 2811

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4838

BAGIAN SAHAM: 114715

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO4882

BAGIAN SAHAM: 110285

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4852

BAGIAN SAHAM: 115960

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO4886

BAGIAN SAHAM: 2683

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AON7611

BAGIAN SAHAM: 168239

Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 18.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4803A

BAGIAN SAHAM: 134931

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4614B

BAGIAN SAHAM: 146451

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4813

BAGIAN SAHAM: 174721

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4800B

BAGIAN SAHAM: 189998

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4805

BAGIAN SAHAM: 180636

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4630

BAGIAN SAHAM: 137477

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.45V @ 250µA,

AO4612

BAGIAN SAHAM: 189775

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4840

BAGIAN SAHAM: 161636

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6924

BAGIAN SAHAM: 90862

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AOD609

BAGIAN SAHAM: 192201

Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC2804

BAGIAN SAHAM: 105804

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard,

AON7804

BAGIAN SAHAM: 120975

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AAT7347IAS-T1

BAGIAN SAHAM: 157898

AUIRFN8459TR

BAGIAN SAHAM: 64112

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 50µA,

AUIRFN8458TR

BAGIAN SAHAM: 79588

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.9V @ 25µA,

AUIRF7341QTR

BAGIAN SAHAM: 89718

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7319QTR

BAGIAN SAHAM: 89679

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7316QTR

BAGIAN SAHAM: 89739

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7342QTR

BAGIAN SAHAM: 91383

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7313QTR

BAGIAN SAHAM: 94924

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7304QTR

BAGIAN SAHAM: 101244

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7379QTR

BAGIAN SAHAM: 101249

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7103QTR

BAGIAN SAHAM: 121994

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF9952QTR

BAGIAN SAHAM: 125213

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

BSM180D12P3C007

BAGIAN SAHAM: 168

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Vgs(th) (Maks) @ Id: 5.6V @ 50mA,

BSM300D12P2E001

BAGIAN SAHAM: 201

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 68mA,

BSM080D12P2C008

BAGIAN SAHAM: 263

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 13.2mA,

BSS8402DWQ-7

BAGIAN SAHAM: 194681

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,