Dioda - Penyearah - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 100

BYG24G-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 160213

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

BAGIAN SAHAM: 141773

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 131968

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 182415

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 178714

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 104636

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 136458

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 128490

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 129800

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1300V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1A (DC), Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.9V @ 1A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

BAGIAN SAHAM: 120649

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 155324

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 188118

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 135545

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 100V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 137182

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 196477

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 116559

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 167113

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

BAGIAN SAHAM: 151425

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 167334

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 177836

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

BAGIAN SAHAM: 116100

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 126510

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 50V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 113240

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 197556

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 112695

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 164441

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 174425

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 199071

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 120482

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 162395

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 109092

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 111717

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 162156

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 131985

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 142403

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

BAGIAN SAHAM: 178334

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.