Dioda - Penyearah - Tunggal

Rumah
Dioda - Penyearah - Tunggal

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 194309

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 192644

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 125355

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 131683

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 113290

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 185055

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 50V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 180703

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 162491

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 132072

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 136967

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 178639

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 156019

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 190141

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 171388

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 100V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 102534

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 173966

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 100V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 115903

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

BAGIAN SAHAM: 182526

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 172130

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 108801

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 111269

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.4V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

BAGIAN SAHAM: 118403

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 119326

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 50V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 190073

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 103238

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 180365

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 800V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

BAGIAN SAHAM: 170299

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.6V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 116233

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 200V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 112902

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

BAGIAN SAHAM: 132466

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1000V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

BAGIAN SAHAM: 181386

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

BAGIAN SAHAM: 194033

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 1.5A, Kecepatan: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

BAGIAN SAHAM: 123257

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 130377

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 50V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

BAGIAN SAHAM: 175101

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 400V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 1.5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1.5A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

BAGIAN SAHAM: 102483

Tipe Dioda: Avalanche, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 100V, Arus - Rata-Rata Dikoreksi (Io): 2A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Kecepatan: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Waktu Pemulihan Terbalik (trr): 25ns,

Wishlist.

3600

«
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
»