Transistor - FET, MOSFET - Array | Produk Semikonduktor Diskrit | 18

19MT050XF

BAGIAN SAHAM: 2704

Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 6V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1033X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 174190

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 145mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIA777EDJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 187147

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 118937

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 80900

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7962DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 38892

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139913

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUD50NP04-77P-T4E3

BAGIAN SAHAM: 118918

Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 192809

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 152475

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139953

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 56765

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 89660

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 450mV @ 5mA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 102782

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 165688

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 139906

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4943BDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 73684

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 197681

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI8900EDB-T2-E1

BAGIAN SAHAM: 45537

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1.1mA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 93108

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 118914

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 165763

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4948BEY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 125231

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4946BEY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 150097

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 80857

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 199685

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 101885

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 125159

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 118967

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 140725

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, 16A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 101842

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIZ918DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132159

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A, 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 118954

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 93083

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4554DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 106365

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQ4282EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 10808

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.