Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 100

SI4850EY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 107360

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM85N15-19-E3

BAGIAN SAHAM: 21174

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1416EDH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 158008

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2369DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 110004

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB24N65ET5-GE3

BAGIAN SAHAM: 8323

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3437DV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 195409

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 150412

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9510STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 98611

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2343DS-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 188197

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7716ADN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 180871

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1077X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 165803

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 1.8A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7157DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 106667

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2328DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 115518

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM50020E-GE3

BAGIAN SAHAM: 8142

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB22N60ET5-GE3

BAGIAN SAHAM: 8223

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQ2389ES-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 193825

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQ2361ES-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 142939

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 177 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7117DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 61561

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIE812DF-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 40390

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLD120PBF

BAGIAN SAHAM: 87218

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 780mA, 5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIA468DJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 130444

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB23N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 33737

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHP24N65EF-GE3

BAGIAN SAHAM: 22721

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB33N60ET1-GE3

BAGIAN SAHAM: 8399

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQP100P06-9M3L_GE3

BAGIAN SAHAM: 5649

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7374DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 43956

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 23.8A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQV120N10-3M8_GE3

BAGIAN SAHAM: 8171

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQ4840EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 46405

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIE818DF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 35077

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7106DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 141968

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHH27N60EF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 8391

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 13.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM45N25-58-E3

BAGIAN SAHAM: 37140

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM90142E-GE3

BAGIAN SAHAM: 37829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHH26N60EF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 19158

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 141 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQP120N10-09_GE3

BAGIAN SAHAM: 8350

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1013X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 181822

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V,

Wishlist.