Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 100

SIHG33N60E-E3

BAGIAN SAHAM: 8448

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIS427EDN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 163221

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHG33N60EF-GE3

BAGIAN SAHAM: 9937

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9640STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 73327

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB28N60EF-GE3

BAGIAN SAHAM: 21389

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 173909

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 70111

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3440DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132457

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB22N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 16074

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHW33N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 9974

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 73517

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIR850DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 148607

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7143DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 118957

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 16.1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SISS10DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 162387

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 167044

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHP17N80E-GE3

BAGIAN SAHAM: 13737

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2307CDS-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 132144

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB33N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 10723

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHG22N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 14884

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHA22N60E-E3

BAGIAN SAHAM: 17046

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SQ3426EV-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 174027

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI8409DB-T1-E1

BAGIAN SAHAM: 148595

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1011X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 187591

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIB452DK-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 137221

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 190V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3458BDV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 199643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB22N60AE-GE3

BAGIAN SAHAM: 17115

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI8802DB-T2-E1

BAGIAN SAHAM: 163785

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1469DH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 160934

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2367DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 177196

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHG28N65EF-GE3

BAGIAN SAHAM: 9545

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR310TRPBF

BAGIAN SAHAM: 191323

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 128678

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 420mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 99308

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4488DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 91549

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2343DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 146234

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 165746

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.