Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 100

IRFL110

BAGIAN SAHAM: 8968

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9640

BAGIAN SAHAM: 8834

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4401DDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 134619

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10.2A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFL214

BAGIAN SAHAM: 8959

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 790mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 470mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFZ24

BAGIAN SAHAM: 8827

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFI620G

BAGIAN SAHAM: 8967

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9Z34

BAGIAN SAHAM: 8904

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFP460A

BAGIAN SAHAM: 5978

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFD9210

BAGIAN SAHAM: 8839

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 240mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFU020

BAGIAN SAHAM: 8965

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9120TR

BAGIAN SAHAM: 5961

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9010

BAGIAN SAHAM: 8897

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFIB7N50A

BAGIAN SAHAM: 8933

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF530S

BAGIAN SAHAM: 8860

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF540STRL

BAGIAN SAHAM: 5931

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFP054

BAGIAN SAHAM: 8905

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 54A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9520

BAGIAN SAHAM: 8813

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7115DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 82354

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2336DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 116149

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLD024PBF

BAGIAN SAHAM: 66617

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7820DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 128252

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI2315BDS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 196533

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1062X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 121389

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7431DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 34089

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 174 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SISA72DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 108338

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIR426DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 158516

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUM90N10-8M2P-E3

BAGIAN SAHAM: 37460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLR120TRPBF

BAGIAN SAHAM: 53107

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF840APBF

BAGIAN SAHAM: 42859

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1302DL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 118823

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 600mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFZ44PBF

BAGIAN SAHAM: 40692

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7101DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132137

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHG30N60E-E3

BAGIAN SAHAM: 17445

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7456DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 98087

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 9.3A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHB30N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 21857

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI3460DV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 101185

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wishlist.