Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA436DJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 119071

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI6415DQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 101835

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

SIRA01DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA01DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9909

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SQJ407EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ407EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 134372

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SIB408DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB408DK-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 127930

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

SI5468DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5468DC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 193145

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.8A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRL530PBF

BAGIAN SAHAM: 51245

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 9A, 5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFU9214PBF

BAGIAN SAHAM: 98690

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

Wishlist.

SISH106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISH106DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9993

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

Wishlist.

SIS439DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 185636

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

SIR158DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 9977

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI8457DB-T1-E1

BAGIAN SAHAM: 116255

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

SQ3418EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3418EEV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1167

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5429DU-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1399

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7430DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 61511

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

SI5855CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5855CDC-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 130824

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.

SI7868ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7868ADP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 30942

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.25 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA10DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 158534

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SQJA68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA68EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 9941

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

SQ2360EES-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1242

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

SI1403BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1403BDL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9957

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7309DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 158562

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wishlist.

IRFR1N60ATRLPBF

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRLPBF

BAGIAN SAHAM: 98672

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHD9N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 78467

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 368 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.

SIS452DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS452DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 125881

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQ1420EEH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ1420EEH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1196

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.2A, 10V,

Wishlist.

SIRA26DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA26DP-T1-RE3

BAGIAN SAHAM: 9924

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SI2374DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2374DS-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 137862

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.

SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC18DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9922

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1499DH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 153359

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7113DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 52520

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

SIRC10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 188404

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR616DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 111187

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7106DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 141992

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V,

Wishlist.

SISA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA04DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132149

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.15 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SQ3426EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3426EEV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1231

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

3600

«
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
»