Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
SI4486EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4486EY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1024

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 10V,

Wishlist.
SUP40N10-30-GE3
Vishay Siliconix

SUP40N10-30-GE3

BAGIAN SAHAM: 1103

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SIE800DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE800DF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1135

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
SI7186DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7186DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1034

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3493DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1034

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

Wishlist.
SI5461EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5461EDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1072

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.
SI3483DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3483DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1052

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.2A, 10V,

Wishlist.
SI5449DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1089

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Wishlist.
SI5449DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5449DC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1085

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Wishlist.
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA406DJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 163663

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19.8 mOhm @ 10.8A, 4.5V,

Wishlist.
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3456CDV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1028

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

Wishlist.
SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS414DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 128723

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 4.5V,

Wishlist.
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1007

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

Wishlist.
SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE836DF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1015

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wishlist.
SUP85N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUP85N04-03-E3

BAGIAN SAHAM: 1118

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
SI1405BDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 6167

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wishlist.
SI1400DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1400DL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 171269

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V,

Wishlist.
SI4322DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4322DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1024

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
IRF730ASTRRPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 1048

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
IRFR9020PBF
Vishay Siliconix

IRFR9020PBF

BAGIAN SAHAM: 42366

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Wishlist.
SI4409DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 6141

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
SI2343DS-T1
Vishay Siliconix

SI2343DS-T1

BAGIAN SAHAM: 930

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
SI1402DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 999

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
IRF9630PBF
Vishay Siliconix

IRF9630PBF

BAGIAN SAHAM: 56850

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wishlist.
SI1406DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 941

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Wishlist.
SI4448DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1038

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wishlist.
SI4438DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4438DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1088

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
SI7196DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7196DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1059

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
SI7404DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7404DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1114

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.3A, 10V,

Wishlist.
SI4190DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4190DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1020

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 83639

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
SI6413DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6413DQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1051

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

Wishlist.
SI5913DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5913DC-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 184019

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wishlist.
SI5440DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5440DC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 183838

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9.1A, 10V,

Wishlist.
SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3812DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1030

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wishlist.
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix

SUD50N03-09P-GE3

BAGIAN SAHAM: 98662

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.