Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

SIA448DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 169988

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1527

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.

SI4434DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 68716

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

BAGIAN SAHAM: 1532

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.

SIE832DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 43943

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLZ14S

BAGIAN SAHAM: 1538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.

SI4386DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 159083

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR210PBF

BAGIAN SAHAM: 69131

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Wishlist.

SQ4182EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 10824

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 73600

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

SI4412ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1496

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 108121

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

BAGIAN SAHAM: 1524

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.

SUD35N05-26L-E3

Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

BAGIAN SAHAM: 1474

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SI4425BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 78344

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9530PBF

BAGIAN SAHAM: 45568

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

Wishlist.

SI4800BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 126818

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 159052

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.

SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 125140

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist.

SUD23N06-31L-E3

Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

BAGIAN SAHAM: 118954

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SI4010DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 167778

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRL520PBF

BAGIAN SAHAM: 63689

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Wishlist.

SI4831BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1596

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 100195

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Wishlist.

SQ4425EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 10789

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 10770

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SI4103DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 10820

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SQ4483BEEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 10837

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

BAGIAN SAHAM: 29452

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

Wishlist.

SIHH28N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 10451

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 1502

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 49817

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SI4884BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 128225

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

BAGIAN SAHAM: 1584

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

SUD50N06-07L-E3

Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

BAGIAN SAHAM: 1499

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 96A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SI4143DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 81402

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

3600

«
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
»