Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Vishay Siliconix

IRFI540GPBF

BAGIAN SAHAM: 25306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SI8805EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8805EDB-T2-E1

BAGIAN SAHAM: 116920

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.

SI1414DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1414DH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 105432

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLU110PBF

BAGIAN SAHAM: 44175

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 5V,

Wishlist.

SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ480E-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 54836

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SUP50N10-21P-GE3

Vishay Siliconix

SUP50N10-21P-GE3

BAGIAN SAHAM: 40477

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SQD07N25-350H_GE3

Vishay Siliconix

SQD07N25-350H_GE3

BAGIAN SAHAM: 8682

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR214TRPBF

BAGIAN SAHAM: 113516

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFU9014PBF

BAGIAN SAHAM: 49898

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

VQ1004P

BAGIAN SAHAM: 1763

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V,

Wishlist.

SQD23N06-31L_GE3

Vishay Siliconix

SQD23N06-31L_GE3

BAGIAN SAHAM: 97850

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFU110PBF

BAGIAN SAHAM: 75528

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF644PBF

BAGIAN SAHAM: 48209

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8.4A, 10V,

Wishlist.

SIR644DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR644DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 121512

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9640PBF

BAGIAN SAHAM: 40692

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.

SI1315DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1315DL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 176998

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 900mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 336 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9014TRPBF

BAGIAN SAHAM: 149247

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wishlist.

SUP53P06-20-GE3

Vishay Siliconix

SUP53P06-20-GE3

BAGIAN SAHAM: 1777

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

VP0808B-2

BAGIAN SAHAM: 1858

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 880mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFD9123

BAGIAN SAHAM: 1797

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR430ATRPBF

BAGIAN SAHAM: 80238

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

VP0808B-E3

BAGIAN SAHAM: 1809

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 880mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

SQD30N05-20L_GE3

Vishay Siliconix

SQD30N05-20L_GE3

BAGIAN SAHAM: 110170

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQD97N06-6M3L_GE3

Vishay Siliconix

SQD97N06-6M3L_GE3

BAGIAN SAHAM: 97635

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9020TRPBF

BAGIAN SAHAM: 105921

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9120PBF

BAGIAN SAHAM: 66670

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wishlist.

SUD42N03-3M9P-GE3

Vishay Siliconix

SUD42N03-3M9P-GE3

BAGIAN SAHAM: 1783

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFP26N60L

BAGIAN SAHAM: 1825

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

SIJH440E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJH440E-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 57409

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLIZ34GPBF

BAGIAN SAHAM: 25084

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 12A, 5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9510SPBF

BAGIAN SAHAM: 32554

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR482DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1852

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLZ24PBF

BAGIAN SAHAM: 54654

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFR9024TRPBF

BAGIAN SAHAM: 180875

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.3A, 10V,

Wishlist.

SI4038DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4038DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 1778

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

VP0808B

BAGIAN SAHAM: 1769

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 880mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

3600

«
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
»