Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

SI1428EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1428EDH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2301

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wishlist.

SIS778DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS778DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2237

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SUM25P10-138-E3

Vishay Siliconix

SUM25P10-138-E3

BAGIAN SAHAM: 2130

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFP360PBF

BAGIAN SAHAM: 17668

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFIBC30GPBF

BAGIAN SAHAM: 22948

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SIHF30N60E-GE3

BAGIAN SAHAM: 21645

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SI5499DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5499DC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2090

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFD9110PBF

BAGIAN SAHAM: 77098

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 420mA, 10V,

Wishlist.

SIS626DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS626DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2276

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SIR494DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR494DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 75925

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SIR798DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR798DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 6311

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.05 Ohm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF9640STRRPBF

BAGIAN SAHAM: 35879

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.

SUD45P04-16P-GE3

Vishay Siliconix

SUD45P04-16P-GE3

BAGIAN SAHAM: 2119

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 14A, 20V,

Wishlist.

SI4410BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 148655

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF830APBF

BAGIAN SAHAM: 53105

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

SI4620DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4620DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 150899

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 7.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

SI7102DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7102DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 80934

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1002R-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 5671

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 610mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

SIB404DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB404DK-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 121441

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

SI4396DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4396DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 6234

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRLZ44SPBF

BAGIAN SAHAM: 21719

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

Wishlist.

SUM90N04-3M3P-E3

Vishay Siliconix

SUM90N04-3M3P-E3

BAGIAN SAHAM: 66360

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.

SQD45P03-12_GE3

Vishay Siliconix

SQD45P03-12_GE3

BAGIAN SAHAM: 40076

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SIB437EDKT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB437EDKT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139558

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

SI7794DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7794DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2382

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28.6A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

SQM120P06-07L_GE3

Vishay Siliconix

SQM120P06-07L_GE3

BAGIAN SAHAM: 41168

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

SIR774DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR774DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2137

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Wishlist.

SIR472DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR472DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 197213

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V,

Wishlist.

SI7405BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7405BDN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132127

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Wishlist.

SI4636DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4636DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2164

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

SI4712DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4712DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 188239

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

SUP25P10-138-GE3

Vishay Siliconix

SUP25P10-138-GE3

BAGIAN SAHAM: 2159

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

SUM120N04-1M7L-GE3

Vishay Siliconix

SUM120N04-1M7L-GE3

BAGIAN SAHAM: 2166

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

SIR866DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR866DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 57436

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRF740ASPBF

BAGIAN SAHAM: 34632

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Vishay Siliconix

IRFI720GPBF

BAGIAN SAHAM: 26997

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.6A, 10V,

Wishlist.

3600

«
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
»