Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R900P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 40478

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies

IPP50R380CEXKSA1

BAGIAN SAHAM: 2653

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 13V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 13V,

Wishlist.
IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies

IPW60R099CPFKSA1

BAGIAN SAHAM: 2342

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
IRFBA1405PPBF
Infineon Technologies

IRFBA1405PPBF

BAGIAN SAHAM: 23431

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 174A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 101A, 10V,

Wishlist.
IRLR3705ZPBF
Infineon Technologies

IRLR3705ZPBF

BAGIAN SAHAM: 42598

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V,

Wishlist.
SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies

SPP20N60C3XKSA1

BAGIAN SAHAM: 15072

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Wishlist.
IPA041N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPA041N04NGXKSA1

BAGIAN SAHAM: 60098

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 70A, 10V,

Wishlist.
IPA60R385CPXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R385CPXKSA1

BAGIAN SAHAM: 29565

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.
IRFZ44VZSPBF
Infineon Technologies

IRFZ44VZSPBF

BAGIAN SAHAM: 31735

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

Wishlist.
IRF5210LPBF
Infineon Technologies

IRF5210LPBF

BAGIAN SAHAM: 26047

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

Wishlist.
IPP120N04S302AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S302AKSA1

BAGIAN SAHAM: 19704

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRFZ44ESTRLPBF
Infineon Technologies

IRFZ44ESTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 107278

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 29A, 10V,

Wishlist.
IPU95R450P7AKMA1
Infineon Technologies

IPU95R450P7AKMA1

BAGIAN SAHAM: 2929

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 950V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.2A, 10V,

Wishlist.
IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R280P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 22078

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7.2A, 10V,

Wishlist.
IPP60R125C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R125C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 2766

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
IPP029N06NAKSA1
Infineon Technologies

IPP029N06NAKSA1

BAGIAN SAHAM: 29786

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRF3808STRLPBF
Infineon Technologies

IRF3808STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 46803

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82A, 10V,

Wishlist.
IRF1310NPBF
Infineon Technologies

IRF1310NPBF

BAGIAN SAHAM: 42828

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.
IRLIZ44NPBF
Infineon Technologies

IRLIZ44NPBF

BAGIAN SAHAM: 46079

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R190E6FKSA1

BAGIAN SAHAM: 3332

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

Wishlist.
IPP015N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP015N04NGXKSA1

BAGIAN SAHAM: 17642

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRF200P222
Infineon Technologies

IRF200P222

BAGIAN SAHAM: 6749

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 182A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 82A, 10V,

Wishlist.
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies

IRFS4310ZTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 43733

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies

IPP65R110CFDAAKSA1

BAGIAN SAHAM: 9871

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

Wishlist.
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R225C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 24190

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 4.8A, 10V,

Wishlist.
IPA50R250CPXKSA1
Infineon Technologies

IPA50R250CPXKSA1

BAGIAN SAHAM: 3175

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Wishlist.
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies

IPSA70R2K0P7SAKMA1

BAGIAN SAHAM: 2932

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
IPAW60R280CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R280CEXKSA1

BAGIAN SAHAM: 69618

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
IRF4905LPBF
Infineon Technologies

IRF4905LPBF

BAGIAN SAHAM: 29799

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

Wishlist.
IPP052N06L3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP052N06L3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 49565

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRFP4227PBF
Infineon Technologies

IRFP4227PBF

BAGIAN SAHAM: 16503

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 46A, 10V,

Wishlist.
IPP80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPP80P03P4L04AKSA1

BAGIAN SAHAM: 33447

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IPAN80R450P7XKSA1
Infineon Technologies

IPAN80R450P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 2765

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
IPP100N10S305AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N10S305AKSA1

BAGIAN SAHAM: 20646

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPP040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP040N06N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 39840

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
IRF100P219XKMA1
Infineon Technologies

IRF100P219XKMA1

BAGIAN SAHAM: 2602

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.