Menu
IndonesiaIndonesia
0RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R190E6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 22907

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wishlist.
IPI120N06S402AKSA2
Infineon Technologies

IPI120N06S402AKSA2

BAGIAN SAHAM: 48418

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPZA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R180P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.6A, 10V,

Wishlist.
IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R400CEXKSA1

BAGIAN SAHAM: 53935

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.
SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW55N80C3FKSA1

BAGIAN SAHAM: 4868

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 32.6A, 10V,

Wishlist.
IPI045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPI045N10N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 1374

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW16N50C3FKSA1

BAGIAN SAHAM: 1221

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 560V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
IRFS3306PBF
Infineon Technologies

IRFS3306PBF

BAGIAN SAHAM: 27199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IRF4104PBF
Infineon Technologies

IRF4104PBF

BAGIAN SAHAM: 41415

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP023N04NGXKSA1

BAGIAN SAHAM: 37393

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R037P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 433

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 29.5A, 10V,

Wishlist.
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R1K2P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 44199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V,

Wishlist.
IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 21681

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.7A, 10V,

Wishlist.
IPW60R180C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R180C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 18999

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5.3A, 10V,

Wishlist.
IRFB4620PBF
Infineon Technologies

IRFB4620PBF

BAGIAN SAHAM: 29305

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R080P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1353

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 11.8A, 10V,

Wishlist.
IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R099P6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 13094

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies

IPA80R1K0CEXKSA2

BAGIAN SAHAM: 40921

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V,

Wishlist.
IRLL3303PBF
Infineon Technologies

IRLL3303PBF

BAGIAN SAHAM: 64248

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist.
IRLR2908PBF
Infineon Technologies

IRLR2908PBF

BAGIAN SAHAM: 38404

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R040C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 5938

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 24.9A, 10V,

Wishlist.
IPI100N06S3L04XK
Infineon Technologies

IPI100N06S3L04XK

BAGIAN SAHAM: 28314

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IPP16CN10NGXKSA1
Infineon Technologies

IPP16CN10NGXKSA1

BAGIAN SAHAM: 42632

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 53A, 10V,

Wishlist.
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R070P6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 10492

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20.6A, 10V,

Wishlist.
IRLSL4030PBF
Infineon Technologies

IRLSL4030PBF

BAGIAN SAHAM: 11777

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

Wishlist.
IRF7413PBF
Infineon Technologies

IRF7413PBF

BAGIAN SAHAM: 66589

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wishlist.
IRF7473TRPBF
Infineon Technologies

IRF7473TRPBF

BAGIAN SAHAM: 115934

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.1A, 10V,

Wishlist.
IPA65R600E6XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R600E6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 392

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist.
IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125P6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 15829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11.6A, 10V,

Wishlist.
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R095C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 10122

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 11.8A, 10V,

Wishlist.
IPW60R160C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R160C6FKSA1

BAGIAN SAHAM: 1525

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 11.3A, 10V,

Wishlist.
IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R099C6FKSA1

BAGIAN SAHAM: 10283

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

Wishlist.
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies

SPP15P10PLHXKSA1

BAGIAN SAHAM: 276

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11.3A, 10V,

Wishlist.
IPS65R950C6AKMA1
Infineon Technologies

IPS65R950C6AKMA1

BAGIAN SAHAM: 61555

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
IRFSL7762PBF
Infineon Technologies

IRFSL7762PBF

BAGIAN SAHAM: 40928

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 51A, 10V,

Wishlist.
IPA70R450P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPA70R450P7SXKSA1

BAGIAN SAHAM: 599

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.3A, 10V,

Wishlist.