Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies

BSC0904NSIATMA1

BAGIAN SAHAM: 7480

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ050N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ050N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 147799

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSZ0994NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0994NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 149303

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
BSC440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC440N10NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 119139

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ065N03LSATMA1

BAGIAN SAHAM: 7461

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSS159NH6906XTSA1
Infineon Technologies

BSS159NH6906XTSA1

BAGIAN SAHAM: 190333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Wishlist.
BSP320SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BSP320SH6433XTMA1

BAGIAN SAHAM: 138092

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wishlist.
BSL373SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL373SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 190490

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
BSL296SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL296SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 106246

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 1.26A, 10V,

Wishlist.
BSS126H6906XTSA1
Infineon Technologies

BSS126H6906XTSA1

BAGIAN SAHAM: 153215

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wishlist.
BSZ100N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ100N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 89341

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC100N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 196508

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSS169H6906XTSA1
Infineon Technologies

BSS169H6906XTSA1

BAGIAN SAHAM: 152457

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.
BSC090N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC090N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 195504

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSC080N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC080N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 140304

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies

BSZ120P03NS3EGATMA1

BAGIAN SAHAM: 146859

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ120P03NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 154285

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSS138WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS138WH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 171697

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP88H6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 183070

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Wishlist.
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies

BSZ180P03NS3EGATMA1

BAGIAN SAHAM: 186097

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ180P03NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 124428

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC886N03LSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 123249

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ130N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 7438

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSS139H6906XTSA1
Infineon Technologies

BSS139H6906XTSA1

BAGIAN SAHAM: 186343

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.
BSC0996NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0996NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 103955

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 34V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
BSC079N03LSCGATMA1
Infineon Technologies

BSC079N03LSCGATMA1

BAGIAN SAHAM: 187012

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSL372SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL372SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 143818

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
BSL207SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL207SPH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 128196

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 6A, 4.5V,

Wishlist.
BSL606SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL606SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 124505

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
BSZ340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ340N08NS3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 7427

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL202SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 109229

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Wishlist.
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0909NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 174435

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 34V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
BSL303SPEH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL303SPEH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 185383

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.3A, 10V,

Wishlist.
BSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC120N03MSGATMA1

BAGIAN SAHAM: 174610

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
BSL802SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL802SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 143319

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

Wishlist.
BSL302SNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL302SNH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 181075

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

Wishlist.