Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies

IPA50R280CEXKSA2

BAGIAN SAHAM: 52764

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 13V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

Wishlist.
IPI80N04S403AKSA1
Infineon Technologies

IPI80N04S403AKSA1

BAGIAN SAHAM: 45247

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies

SPP21N50C3XKSA1

BAGIAN SAHAM: 18656

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13.1A, 10V,

Wishlist.
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies

IPA60R650CEXKSA1

BAGIAN SAHAM: 67856

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.
IPZA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies

IPZA60R120P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 1626

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 8.2A, 10V,

Wishlist.
IRFS7734TRL7PP
Infineon Technologies

IRFS7734TRL7PP

BAGIAN SAHAM: 46835

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 197A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.05 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R040C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 5430

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 24.9A, 10V,

Wishlist.
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R280P6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 30698

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.
IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies

IPW80R360P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 22478

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.6A, 10V,

Wishlist.
IPU039N03LGXK
Infineon Technologies

IPU039N03LGXK

BAGIAN SAHAM: 53156

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
IRF200S234
Infineon Technologies

IRF200S234

BAGIAN SAHAM: 33708

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 51A, 10V,

Wishlist.
IPP80R750P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R750P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 39881

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
IPA60R099C6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R099C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 3123

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18.1A, 10V,

Wishlist.
IRFB23N20DPBF
Infineon Technologies

IRFB23N20DPBF

BAGIAN SAHAM: 36487

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
IRLZ24NSTRLPBF
Infineon Technologies

IRLZ24NSTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 104455

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
IRFB52N15DPBF
Infineon Technologies

IRFB52N15DPBF

BAGIAN SAHAM: 24908

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 36A, 10V,

Wishlist.
IRF100P218XKMA1
Infineon Technologies

IRF100P218XKMA1

BAGIAN SAHAM: 2451

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.28 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRFP4332PBF
Infineon Technologies

IRFP4332PBF

BAGIAN SAHAM: 15631

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R080P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 11575

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 11.8A, 10V,

Wishlist.
IRFB59N10DPBF
Infineon Technologies

IRFB59N10DPBF

BAGIAN SAHAM: 30711

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10V,

Wishlist.
IPA60R950C6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R950C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 3156

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
IRFB4127PBF
Infineon Technologies

IRFB4127PBF

BAGIAN SAHAM: 18027

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 44A, 10V,

Wishlist.
SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies

SPP07N60C3XKSA1

BAGIAN SAHAM: 32208

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist.
IRF1010ESTRLPBF
Infineon Technologies

IRF1010ESTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 84472

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
IRFP4229PBF
Infineon Technologies

IRFP4229PBF

BAGIAN SAHAM: 16952

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.
IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies

IRFS3206TRRPBF

BAGIAN SAHAM: 43544

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IRFB7440PBF
Infineon Technologies

IRFB7440PBF

BAGIAN SAHAM: 41633

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPP052N08N5AKSA1
Infineon Technologies

IPP052N08N5AKSA1

BAGIAN SAHAM: 29696

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRF3805STRLPBF
Infineon Technologies

IRF3805STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 35359

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R230P6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 27820

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.4A, 10V,

Wishlist.
IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R170CFD7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 2788

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies

IPP80R450P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 29152

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
IRL3803PBF
Infineon Technologies

IRL3803PBF

BAGIAN SAHAM: 28169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 71A, 10V,

Wishlist.
IRF3805S-7PPBF
Infineon Technologies

IRF3805S-7PPBF

BAGIAN SAHAM: 13813

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

Wishlist.
IPA093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA093N06N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 62635

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
IRFZ44VPBF
Infineon Technologies

IRFZ44VPBF

BAGIAN SAHAM: 61122

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 31A, 10V,

Wishlist.