Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IRFU7440PBF
Infineon Technologies

IRFU7440PBF

BAGIAN SAHAM: 42650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
IRLB8314PBF
Infineon Technologies

IRLB8314PBF

BAGIAN SAHAM: 68466

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 68A, 10V,

Wishlist.
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP034NE7N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 23187

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRL8113PBF
Infineon Technologies

IRL8113PBF

BAGIAN SAHAM: 41003

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 105A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist.
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Infineon Technologies

IPSA70R1K2P7SAKMA1

BAGIAN SAHAM: 2796

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 900mA, 10V,

Wishlist.
IRL60S216
Infineon Technologies

IRL60S216

BAGIAN SAHAM: 18402

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPAW60R190CEXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R190CEXKSA1

BAGIAN SAHAM: 56438

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

Wishlist.
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA80R750P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 39823

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
IPA057N06N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA057N06N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 2064

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP530N15N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 2849

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
IRF3315PBF
Infineon Technologies

IRF3315PBF

BAGIAN SAHAM: 38844

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
IPA075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPA075N15N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 3045

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 43A, 10V,

Wishlist.
IPP100N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies

IPP100N08S2L07AKSA1

BAGIAN SAHAM: 52683

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRF530NSTRLPBF
Infineon Technologies

IRF530NSTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 128633

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R170CFD7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 3037

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
IRLB3036PBF
Infineon Technologies

IRLB3036PBF

BAGIAN SAHAM: 17506

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Wishlist.
IPP086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP086N10N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 38790

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V,

Wishlist.
SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies

SPW11N80C3FKSA1

BAGIAN SAHAM: 1610

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 7.1A, 10V,

Wishlist.
IPW65R065C7XKSA1
Infineon Technologies

IPW65R065C7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 10290

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.1A, 10V,

Wishlist.
IRF300P227
Infineon Technologies

IRF300P227

BAGIAN SAHAM: 10886

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
IRF135B203
Infineon Technologies

IRF135B203

BAGIAN SAHAM: 23939

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 135V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 129A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 77A, 10V,

Wishlist.
IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies

IPI60R125CPXKSA1

BAGIAN SAHAM: 11826

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies

IPP90R340C3XKSA1

BAGIAN SAHAM: 11890

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 9.2A, 10V,

Wishlist.
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

BAGIAN SAHAM: 6140

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 17.6A, 10V,

Wishlist.
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP076N12N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 2056

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRFP250MPBF
Infineon Technologies

IRFP250MPBF

BAGIAN SAHAM: 36997

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
IRFI4510GPBF
Infineon Technologies

IRFI4510GPBF

BAGIAN SAHAM: 35793

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist.
IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies

IRF1010EZSTRLP

BAGIAN SAHAM: 88038

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V,

Wishlist.
IPAW60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies

IPAW60R360P7SXKSA1

BAGIAN SAHAM: 55490

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
IRF1407PBF
Infineon Technologies

IRF1407PBF

BAGIAN SAHAM: 31387

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V,

Wishlist.
IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R280P7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 31589

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R090CFD7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 2131

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 11.4A, 10V,

Wishlist.
IPP126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies

IPP126N10N3GXKSA1

BAGIAN SAHAM: 49483

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 46A, 10V,

Wishlist.
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW60R125C6FKSA1

BAGIAN SAHAM: 3548

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
IRFB23N15DPBF
Infineon Technologies

IRFB23N15DPBF

BAGIAN SAHAM: 39026

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
IRF200P223
Infineon Technologies

IRF200P223

BAGIAN SAHAM: 10451

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.