Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

C2M1000170J-TR

BAGIAN SAHAM: 12544

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Wishlist.

C3M0065090J-TR

BAGIAN SAHAM: 6828

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C3M0120100K

BAGIAN SAHAM: 8031

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wishlist.

C3M0120090J-TR

BAGIAN SAHAM: 10635

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wishlist.

C3M0030090K

BAGIAN SAHAM: 2469

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,

Wishlist.

C2M0045170P

BAGIAN SAHAM: 2736

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,

Wishlist.

E3M0120090D

BAGIAN SAHAM: 3307

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wishlist.

C3M0280090J

BAGIAN SAHAM: 19166

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wishlist.

C3M0075120K

BAGIAN SAHAM: 5595

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C3M0120100J

BAGIAN SAHAM: 3965

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wishlist.

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

BAGIAN SAHAM: 2177

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Wishlist.

C2M0025120D

BAGIAN SAHAM: 1093

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Wishlist.

C3M0280090J-TR

BAGIAN SAHAM: 19172

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wishlist.

C3M0065100J

BAGIAN SAHAM: 2848

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C2M0080170P

BAGIAN SAHAM: 2196

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,

Wishlist.

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

BAGIAN SAHAM: 2236

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Wishlist.

C2M0045170D

BAGIAN SAHAM: 866

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,

Wishlist.

C3M0280090D

BAGIAN SAHAM: 20168

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wishlist.

C3M0075120J

BAGIAN SAHAM: 5794

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C3M0065100K

BAGIAN SAHAM: 5808

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C3M0120090J

BAGIAN SAHAM: 10579

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wishlist.

CMF20120D

BAGIAN SAHAM: 976

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Wishlist.

CMF10120D

BAGIAN SAHAM: 1120

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Wishlist.

C3M0120090D

BAGIAN SAHAM: 10936

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wishlist.

C2M0040120D

BAGIAN SAHAM: 2045

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,

Wishlist.

C2M0160120D

BAGIAN SAHAM: 8382

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,

Wishlist.

C3M0065100J-TR

BAGIAN SAHAM: 93

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C2M1000170J

BAGIAN SAHAM: 12480

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Wishlist.

C3M0075120J-TR

BAGIAN SAHAM: 280

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

E3M0065090D

BAGIAN SAHAM: 9953

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

E3M0280090D

BAGIAN SAHAM: 8442

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wishlist.

C3M0065090D

BAGIAN SAHAM: 6981

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C3M0065090J

BAGIAN SAHAM: 6843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wishlist.

C2M0280120D

BAGIAN SAHAM: 12900

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,

Wishlist.

C2M1000170D

BAGIAN SAHAM: 13276

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

Wishlist.

C2M0080120D

BAGIAN SAHAM: 4209

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,

Wishlist.

36