| Tipe | Deskripsi |
| Status Bagian | Obsolete |
|---|---|
| Tipe FET | N-Channel |
| Teknologi | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 1200V |
| Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 50A (Tj) |
| Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 20V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (Maks) | +25V, -5V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Fitur FET | - |
| Disipasi Daya (Maks) | 313mW (Tj) |
| Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Jenis pemasangan: | Surface Mount |
| Paket Perangkat Pemasok | Die |
| Paket / Kasus | Die |
| ROHS Status | Compliant RoHS. |
|---|---|
| Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
| Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
| Stok kategori. | Stok tersedia |
