Transistor - FET, MOSFET - Array

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Array

SI4936ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 77137

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2966

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist.

SI1905BDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1905BDH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 3022

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

SI4904DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4904DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 68499

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

Wishlist.

SI4900DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132105

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 150001

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Wishlist.

SI4804CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4804CDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 129067

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Wishlist.

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4922BDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 93125

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Wishlist.

SQJQ900E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ900E-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 69083

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

SI6963BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6963BDQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 3001

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Wishlist.

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 3314

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist.

SI4816BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4816BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 93648

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2929

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 370mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Wishlist.

SQ3987EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3987EV-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 16233

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5915DC-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2988

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Wishlist.

SI3585DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3585DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 3014

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 43929

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

Wishlist.

SI3552DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3552DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 189573

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Wishlist.

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ956EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 9990

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2920

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.

SI4936ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 77138

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

SI5933CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 181122

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

SI7223DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9952

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

SI9933CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 154905

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Wishlist.

SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 9988

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

Wishlist.

SIZ728DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ728DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 110130

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A, 35A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist.

SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4288DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 118896

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI5938DU-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2940

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI4650DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2953

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 1mA,

Wishlist.

SI5997DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5997DU-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 168303

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Wishlist.

SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 220

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Wishlist.

SI4590DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 189788

Tipe FET: N and P-Channel, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.

SI3900DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 169893

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 119178

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 370mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Wishlist.

SI1902DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 162518

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 660mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4532CDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 107643

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

648

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»