Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Array

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Array
SQJ262EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2536

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SQS944ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS944ENW-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2484

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI4202DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4202DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 118970

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1029X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 164736

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA533EDJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 106980

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 159548

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
SQJ260EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2593

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1026X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 107231

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 305mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI5515CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 185766

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 800mV @ 250µA,

Wishlist.
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1539CDL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 143752

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA517DJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 150755

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
SIR770DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR770DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139904

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Wishlist.
SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1553CDL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 145828

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB70EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 113439

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI4936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 168524

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1965DH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 100544

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
SIA911ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911ADJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139873

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
SQJ990EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ990EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 141592

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1563AEH-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2535

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA537EDJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 157576

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 193923

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 54848

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI1926DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 150474

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 370mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI7212DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 57376

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Wishlist.
SQJB40EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 152466

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 91401

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI7972DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 149146

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Wishlist.
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2597

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI7949DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 39374

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
SQJB00EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 152443

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI4900DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 142035

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2601

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SIZF906ADT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2533

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist.
SI4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 188973

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SQJB80EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 152485

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
SI4925BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4925BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 152470

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.