Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rohm Semiconductor

RUM002N05T2L

BAGIAN SAHAM: 172362

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RYC002N05T316

BAGIAN SAHAM: 155605

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RJK005N03T146

BAGIAN SAHAM: 123745

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RTM002P02T2L

BAGIAN SAHAM: 159403

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RZR025P01TL

BAGIAN SAHAM: 178595

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ5L015SPTL

BAGIAN SAHAM: 106055

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RHU002N06T106

BAGIAN SAHAM: 198658

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RU1E002SPTCL

BAGIAN SAHAM: 148821

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ7E055ATTCR

BAGIAN SAHAM: 135188

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1E050RPTR

BAGIAN SAHAM: 5935

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RUC002N05T116

BAGIAN SAHAM: 141185

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RUE002N02TL

BAGIAN SAHAM: 128431

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RS1E240GNTB

BAGIAN SAHAM: 195654

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 24A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RJU002N06T106

BAGIAN SAHAM: 192295

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RW1A030APT2CR

BAGIAN SAHAM: 168000

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RUR020N02TL

BAGIAN SAHAM: 186359

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RTR025N05TL

BAGIAN SAHAM: 147796

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ6C050UNTR

BAGIAN SAHAM: 161006

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ5E025ATTCL

BAGIAN SAHAM: 128673

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT2450KEC

BAGIAN SAHAM: 14985

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 585 mOhm @ 3A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RTF015N03TL

BAGIAN SAHAM: 164058

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRR015P03TL

BAGIAN SAHAM: 137264

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6018ANJTL

BAGIAN SAHAM: 23006

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSU002P03T106

BAGIAN SAHAM: 162672

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RE1J002YNTCL

BAGIAN SAHAM: 186357

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0.9V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RYE002N05TCL

BAGIAN SAHAM: 108565

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0.9V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6020ANJTL

BAGIAN SAHAM: 19592

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RS1G120MNTB

BAGIAN SAHAM: 146814

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RU1C001UNTCL

BAGIAN SAHAM: 108348

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RYM002N05T2CL

BAGIAN SAHAM: 192421

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0.9V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6012ANJTL

BAGIAN SAHAM: 34757

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R5016ANJTL

BAGIAN SAHAM: 27195

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ6P015SPTR

BAGIAN SAHAM: 130421

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSE002N06TL

BAGIAN SAHAM: 129651

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6015ANJTL

BAGIAN SAHAM: 26576

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDR005N25TL

BAGIAN SAHAM: 157311

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.

644

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»