Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 18

R6015FNX

BAGIAN SAHAM: 11226

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RCX510N25

BAGIAN SAHAM: 15729

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6004KNJTL

BAGIAN SAHAM: 75363

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

BAGIAN SAHAM: 15479

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT3060ALGC11

BAGIAN SAHAM: 7128

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

BAGIAN SAHAM: 2547

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRH050P03GZETB

BAGIAN SAHAM: 6288

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT3040KLGC11

BAGIAN SAHAM: 2854

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS090P03FU7TB

BAGIAN SAHAM: 135899

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1E090RPTR

BAGIAN SAHAM: 2073

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RCD080N25TL

BAGIAN SAHAM: 99109

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT2H12NYTB

BAGIAN SAHAM: 18112

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT3030ALGC11

BAGIAN SAHAM: 3030

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6004ENDTL

BAGIAN SAHAM: 156482

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RAQ045P01TCR

BAGIAN SAHAM: 1902

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RS1E200GNTB

BAGIAN SAHAM: 196672

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS065N06FRATB

BAGIAN SAHAM: 10801

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RMW130N03TB

BAGIAN SAHAM: 190282

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RMW200N03TB

BAGIAN SAHAM: 116058

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1E090XNTCR

BAGIAN SAHAM: 1429

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1E070XNTCR

BAGIAN SAHAM: 1473

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1E100XNTR

BAGIAN SAHAM: 6211

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1E075RPTR

BAGIAN SAHAM: 1446

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RS3E075ATTB

BAGIAN SAHAM: 122522

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSH065N03TB1

BAGIAN SAHAM: 197099

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSD220N06TL

BAGIAN SAHAM: 102535

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1L080SNTR

BAGIAN SAHAM: 1473

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RS3E135BNGZETB

BAGIAN SAHAM: 183103

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RND030N20TL

BAGIAN SAHAM: 172245

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6006ANDTL

BAGIAN SAHAM: 68225

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RP1H065SPTR

BAGIAN SAHAM: 1481

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6004CNDTL

BAGIAN SAHAM: 76158

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRH100P03GZETB

BAGIAN SAHAM: 101180

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RD3L080SNTL1

BAGIAN SAHAM: 10823

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RS1E280GNTB

BAGIAN SAHAM: 189450

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT2160KEC

BAGIAN SAHAM: 7564

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 208 mOhm @ 7A, 18V,

Wishlist.