Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 18

RSD200N10TL

BAGIAN SAHAM: 680

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDN080N25FU6

BAGIAN SAHAM: 718

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDN150N20FU6

BAGIAN SAHAM: 40140

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDN120N25FU6

BAGIAN SAHAM: 809

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRS070N03TB1

BAGIAN SAHAM: 6081

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS070P05FU6TB

BAGIAN SAHAM: 77017

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS070N05FU6TB

BAGIAN SAHAM: 120168

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRS125N03TB1

BAGIAN SAHAM: 460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS060P05FU6TB

BAGIAN SAHAM: 95372

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDX045N60FU6

BAGIAN SAHAM: 465

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2.25A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDX080N50FU6

BAGIAN SAHAM: 18589

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDX050N50FU6

BAGIAN SAHAM: 546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS085N05FU6TB

BAGIAN SAHAM: 101405

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRS110N03TB1

BAGIAN SAHAM: 493

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS065N06FU6TB

BAGIAN SAHAM: 119505

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRS100N03TB1

BAGIAN SAHAM: 517

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta),

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDX060N60FU6

BAGIAN SAHAM: 548

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDX120N50FU6

BAGIAN SAHAM: 514

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDX100N60FU6

BAGIAN SAHAM: 11967

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RRS130N03TB1

BAGIAN SAHAM: 533

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RJP020N06T100

BAGIAN SAHAM: 183374

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSD201N10TL

BAGIAN SAHAM: 182370

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSH070P05GZETB

BAGIAN SAHAM: 97166

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

SCT2120AFC

BAGIAN SAHAM: 8147

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 18V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 10A, 18V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6046ANZC8

BAGIAN SAHAM: 5860

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 81 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ5E040AJTCL

BAGIAN SAHAM: 161102

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSL020P03TR

BAGIAN SAHAM: 132126

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RF4E100AJTCR

BAGIAN SAHAM: 124088

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDN100N20

BAGIAN SAHAM: 9517

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS125N03TB

BAGIAN SAHAM: 9587

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RZF020P01TL

BAGIAN SAHAM: 177857

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS110N03TB

BAGIAN SAHAM: 9563

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RDN120N25

BAGIAN SAHAM: 9590

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RK3055ETL

BAGIAN SAHAM: 9538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS100N03TB

BAGIAN SAHAM: 9574

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSS075P03TB

BAGIAN SAHAM: 9532

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.