Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 18

2SK3050TL

BAGIAN SAHAM: 9558

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2715TL

BAGIAN SAHAM: 9573

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2887TL

BAGIAN SAHAM: 9562

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2503TL

BAGIAN SAHAM: 9507

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2504TL

BAGIAN SAHAM: 6010

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2740

BAGIAN SAHAM: 9563

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2713

BAGIAN SAHAM: 5980

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2299N

BAGIAN SAHAM: 9560

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2095N

BAGIAN SAHAM: 9525

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK3065T100

BAGIAN SAHAM: 152735

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK3018T106

BAGIAN SAHAM: 151413

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2094TL

BAGIAN SAHAM: 114625

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK3541T2L

BAGIAN SAHAM: 143656

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2463T100

BAGIAN SAHAM: 104893

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2103T100

BAGIAN SAHAM: 185973

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK3019TL

BAGIAN SAHAM: 197835

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

2SK2731T146

BAGIAN SAHAM: 112352

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RAL025P01TCR

BAGIAN SAHAM: 140048

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RCJ200N20TL

BAGIAN SAHAM: 64746

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RQ3E075ATTB

BAGIAN SAHAM: 154438

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RTF016N05TL

BAGIAN SAHAM: 126135

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RV2C001ZPT2L

BAGIAN SAHAM: 198694

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RHU003N03FRAT106

BAGIAN SAHAM: 143

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 300mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSJ400N06FRATL

BAGIAN SAHAM: 157

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RD3P050SNTL1

BAGIAN SAHAM: 89

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RAL045P01TCR

BAGIAN SAHAM: 142845

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

R6009ENJTL

BAGIAN SAHAM: 55332

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 535 mOhm @ 2.8A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSJ400N10TL

BAGIAN SAHAM: 39707

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RJU002N06FRAT106

BAGIAN SAHAM: 76

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSM002P03T2L

BAGIAN SAHAM: 154573

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RD3U060CNTL1

BAGIAN SAHAM: 86

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

TT8U2TCR

BAGIAN SAHAM: 138824

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RD3T050CNTL1

BAGIAN SAHAM: 106

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 760 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RAL035P01TCR

BAGIAN SAHAM: 131435

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSF010P05TL

BAGIAN SAHAM: 103472

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist.

Rohm Semiconductor

RSM002N06T2L

BAGIAN SAHAM: 149050

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.