Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
NTD4856N-1G
ON Semiconductor

NTD4856N-1G

BAGIAN SAHAM: 494

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMSD2P102R2SG
ON Semiconductor

NTMSD2P102R2SG

BAGIAN SAHAM: 6075

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wishlist.
NTJS4405NT1
ON Semiconductor

NTJS4405NT1

BAGIAN SAHAM: 310

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.
NTD32N06L
ON Semiconductor

NTD32N06L

BAGIAN SAHAM: 312

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

Wishlist.
FQB9N50CFTM_WS
ON Semiconductor

FQB9N50CFTM_WS

BAGIAN SAHAM: 6118

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
FDD8444-F085
ON Semiconductor

FDD8444-F085

BAGIAN SAHAM: 593

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NTD50N03R-35G
ON Semiconductor

NTD50N03R-35G

BAGIAN SAHAM: 338

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Wishlist.
NTD4854NT4G
ON Semiconductor

NTD4854NT4G

BAGIAN SAHAM: 474

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDMS8660AS
ON Semiconductor

FDMS8660AS

BAGIAN SAHAM: 436

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.
NTD4806N-35G
ON Semiconductor

NTD4806N-35G

BAGIAN SAHAM: 515

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTF3055L175T3G
ON Semiconductor

NTF3055L175T3G

BAGIAN SAHAM: 349

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

Wishlist.
NTD78N03-35G
ON Semiconductor

NTD78N03-35G

BAGIAN SAHAM: 376

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Wishlist.
FDFS2P753AZ
ON Semiconductor

FDFS2P753AZ

BAGIAN SAHAM: 436

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
NTD65N03RT4G
ON Semiconductor

NTD65N03RT4G

BAGIAN SAHAM: 287

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD4815NT4G
ON Semiconductor

NTD4815NT4G

BAGIAN SAHAM: 352

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4839NHT3G
ON Semiconductor

NTMFS4839NHT3G

BAGIAN SAHAM: 532

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD6600N-1G
ON Semiconductor

NTD6600N-1G

BAGIAN SAHAM: 496

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
NTD4813NT4G
ON Semiconductor

NTD4813NT4G

BAGIAN SAHAM: 340

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDPF52N20T
ON Semiconductor

FDPF52N20T

BAGIAN SAHAM: 461

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.
FDD6796
ON Semiconductor

FDD6796

BAGIAN SAHAM: 552

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
FDD6N25TF
ON Semiconductor

FDD6N25TF

BAGIAN SAHAM: 325

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
NTD4809NA-35G
ON Semiconductor

NTD4809NA-35G

BAGIAN SAHAM: 505

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD65N03RT4
ON Semiconductor

NTD65N03RT4

BAGIAN SAHAM: 352

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDMC8676
ON Semiconductor

FDMC8676

BAGIAN SAHAM: 452

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 14.7A, 10V,

Wishlist.
FDMS8672AS
ON Semiconductor

FDMS8672AS

BAGIAN SAHAM: 517

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
NTD4854N-35G
ON Semiconductor

NTD4854N-35G

BAGIAN SAHAM: 506

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
HUF75939P3
ON Semiconductor

HUF75939P3

BAGIAN SAHAM: 10021

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.
NTD20N06LG
ON Semiconductor

NTD20N06LG

BAGIAN SAHAM: 317

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 10A, 5V,

Wishlist.
FDU7N60NZTU
ON Semiconductor

FDU7N60NZTU

BAGIAN SAHAM: 130059

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V,

Wishlist.
NTB18N06LG
ON Semiconductor

NTB18N06LG

BAGIAN SAHAM: 317

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 5V,

Wishlist.
HUF75344S3ST
ON Semiconductor

HUF75344S3ST

BAGIAN SAHAM: 10082

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
NTD18N06-1G
ON Semiconductor

NTD18N06-1G

BAGIAN SAHAM: 288

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
NTA4153NT1
ON Semiconductor

NTA4153NT1

BAGIAN SAHAM: 321

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 915mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.
FQA16N25C
ON Semiconductor

FQA16N25C

BAGIAN SAHAM: 6062

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.9A, 10V,

Wishlist.
NTB125N02R
ON Semiconductor

NTB125N02R

BAGIAN SAHAM: 333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
HUFA76645S3S
ON Semiconductor

HUFA76645S3S

BAGIAN SAHAM: 92

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.