Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
NTMFS4834NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4834NT3G

BAGIAN SAHAM: 6124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDMS8662
ON Semiconductor

FDMS8662

BAGIAN SAHAM: 497

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.
HUFA76609D3ST
ON Semiconductor

HUFA76609D3ST

BAGIAN SAHAM: 6066

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
FDFMA2P857
ON Semiconductor

FDFMA2P857

BAGIAN SAHAM: 395

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
NTD4813NH-1G
ON Semiconductor

NTD4813NH-1G

BAGIAN SAHAM: 502

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4701NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT1G

BAGIAN SAHAM: 298

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
NTD80N02
ON Semiconductor

NTD80N02

BAGIAN SAHAM: 380

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NTD4813N-1G
ON Semiconductor

NTD4813N-1G

BAGIAN SAHAM: 467

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTR1P02T3G
ON Semiconductor

NTR1P02T3G

BAGIAN SAHAM: 389

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
IRLS640A
ON Semiconductor

IRLS640A

BAGIAN SAHAM: 39202

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 4.9A, 5V,

Wishlist.
NTD4810N-35G
ON Semiconductor

NTD4810N-35G

BAGIAN SAHAM: 363

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDI8442
ON Semiconductor

FDI8442

BAGIAN SAHAM: 485

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NTD4302G
ON Semiconductor

NTD4302G

BAGIAN SAHAM: 317

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
NTD4804NA-1G
ON Semiconductor

NTD4804NA-1G

BAGIAN SAHAM: 489

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD60N02R
ON Semiconductor

NTD60N02R

BAGIAN SAHAM: 337

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
FDMS8670AS
ON Semiconductor

FDMS8670AS

BAGIAN SAHAM: 484

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.
FDZ4670S
ON Semiconductor

FDZ4670S

BAGIAN SAHAM: 492

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
NTD3808N-1G
ON Semiconductor

NTD3808N-1G

BAGIAN SAHAM: 577

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
NTP75N03-6G
ON Semiconductor

NTP75N03-6G

BAGIAN SAHAM: 369

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4744NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4744NT3G

BAGIAN SAHAM: 505

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD50N03RT4G
ON Semiconductor

NTD50N03RT4G

BAGIAN SAHAM: 358

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Wishlist.
FDZ7296
ON Semiconductor

FDZ7296

BAGIAN SAHAM: 385

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
NTD32N06LG
ON Semiconductor

NTD32N06LG

BAGIAN SAHAM: 291

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

Wishlist.
NTD5406NT4G
ON Semiconductor

NTD5406NT4G

BAGIAN SAHAM: 357

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTLGF3402PT1G
ON Semiconductor

NTLGF3402PT1G

BAGIAN SAHAM: 389

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

Wishlist.
FDD6N20TF
ON Semiconductor

FDD6N20TF

BAGIAN SAHAM: 340

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Wishlist.
FDFC2P100
ON Semiconductor

FDFC2P100

BAGIAN SAHAM: 330

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
NTB5404NT4G
ON Semiconductor

NTB5404NT4G

BAGIAN SAHAM: 482

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 167A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NTD6600N-001
ON Semiconductor

NTD6600N-001

BAGIAN SAHAM: 300

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
NTR4503NT3
ON Semiconductor

NTR4503NT3

BAGIAN SAHAM: 333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
NTD3813N-1G
ON Semiconductor

NTD3813N-1G

BAGIAN SAHAM: 541

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 16V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
NTD78N03T4
ON Semiconductor

NTD78N03T4

BAGIAN SAHAM: 351

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Wishlist.
NTD6600NT4G
ON Semiconductor

NTD6600NT4G

BAGIAN SAHAM: 6049

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
FQB9N50CFTM
ON Semiconductor

FQB9N50CFTM

BAGIAN SAHAM: 338

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
NTD65N03RG
ON Semiconductor

NTD65N03RG

BAGIAN SAHAM: 355

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDP8878
ON Semiconductor

FDP8878

BAGIAN SAHAM: 572

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.