Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
NTTFS4824NTWG
ON Semiconductor

NTTFS4824NTWG

BAGIAN SAHAM: 716

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
FDS6688AS
ON Semiconductor

FDS6688AS

BAGIAN SAHAM: 613

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
FDD6778A
ON Semiconductor

FDD6778A

BAGIAN SAHAM: 638

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
NTB5412NT4G
ON Semiconductor

NTB5412NT4G

BAGIAN SAHAM: 6085

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
MMDF3N02HDR2G
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2G

BAGIAN SAHAM: 838

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
FDD7030BL
ON Semiconductor

FDD7030BL

BAGIAN SAHAM: 617

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
FQD4N50TM_WS
ON Semiconductor

FQD4N50TM_WS

BAGIAN SAHAM: 570

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V,

Wishlist.
FDI025N06
ON Semiconductor

FDI025N06

BAGIAN SAHAM: 624

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 265A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor

MTB30P06VT4G

BAGIAN SAHAM: 600

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
FDP8870-F085
ON Semiconductor

FDP8870-F085

BAGIAN SAHAM: 581

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
NTD70N03RT4G
ON Semiconductor

NTD70N03RT4G

BAGIAN SAHAM: 892

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
NTB75N06T4G
ON Semiconductor

NTB75N06T4G

BAGIAN SAHAM: 839

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Wishlist.
SCH2825-TL-E
ON Semiconductor

SCH2825-TL-E

BAGIAN SAHAM: 150222

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 800mA, 10V,

Wishlist.
FDT55AN06LA0
ON Semiconductor

FDT55AN06LA0

BAGIAN SAHAM: 579

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor

NILMS4501NR2G

BAGIAN SAHAM: 848

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
FQD5N60CTM_F080
ON Semiconductor

FQD5N60CTM_F080

BAGIAN SAHAM: 647

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V,

Wishlist.
IRFR120ATM
ON Semiconductor

IRFR120ATM

BAGIAN SAHAM: 712

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.
FD70N20PWD
ON Semiconductor

FD70N20PWD

BAGIAN SAHAM: 612

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Ta),

Wishlist.
FQD2N60CTF_F080
ON Semiconductor

FQD2N60CTF_F080

BAGIAN SAHAM: 714

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

Wishlist.
SSH70N10A
ON Semiconductor

SSH70N10A

BAGIAN SAHAM: 739

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
SSP45N20B_FP001
ON Semiconductor

SSP45N20B_FP001

BAGIAN SAHAM: 789

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist.
FQU6N40CTU_NBEA001
ON Semiconductor

FQU6N40CTU_NBEA001

BAGIAN SAHAM: 624

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V,

Wishlist.
FDD16AN08A0_NF054
ON Semiconductor

FDD16AN08A0_NF054

BAGIAN SAHAM: 623

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NTD4804NAT4G
ON Semiconductor

NTD4804NAT4G

BAGIAN SAHAM: 586

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FQA6N80_F109
ON Semiconductor

FQA6N80_F109

BAGIAN SAHAM: 664

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V,

Wishlist.
FDP15N65
ON Semiconductor

FDP15N65

BAGIAN SAHAM: 6152

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
NTK3043NAT5G
ON Semiconductor

NTK3043NAT5G

BAGIAN SAHAM: 635

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.65V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V,

Wishlist.
MTP20N15EG
ON Semiconductor

MTP20N15EG

BAGIAN SAHAM: 725

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
NTD12N10T4G
ON Semiconductor

NTD12N10T4G

BAGIAN SAHAM: 895

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
NTD5414NT4G
ON Semiconductor

NTD5414NT4G

BAGIAN SAHAM: 670

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 24A, 10V,

Wishlist.
FQD2P40TF_F080
ON Semiconductor

FQD2P40TF_F080

BAGIAN SAHAM: 681

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V,

Wishlist.
NTLJS3180PZTAG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTAG

BAGIAN SAHAM: 643

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
NTD4810NT4G
ON Semiconductor

NTD4810NT4G

BAGIAN SAHAM: 850

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4845NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4845NT3G

BAGIAN SAHAM: 598

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 115A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTHS5441PT1G
ON Semiconductor

NTHS5441PT1G

BAGIAN SAHAM: 626

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Wishlist.
SFH9240
ON Semiconductor

SFH9240

BAGIAN SAHAM: 630

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.