Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
FQA7N80_F109
ON Semiconductor

FQA7N80_F109

BAGIAN SAHAM: 612

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.6A, 10V,

Wishlist.
FDBL0210N80
ON Semiconductor

FDBL0210N80

BAGIAN SAHAM: 24057

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
FDU6676AS
ON Semiconductor

FDU6676AS

BAGIAN SAHAM: 636

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
NTD4863NA-1G
ON Semiconductor

NTD4863NA-1G

BAGIAN SAHAM: 661

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
IRF740B
ON Semiconductor

IRF740B

BAGIAN SAHAM: 702

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 400V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
IRFM210BTF_FP001
ON Semiconductor

IRFM210BTF_FP001

BAGIAN SAHAM: 774

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 770mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 390mA, 10V,

Wishlist.
FQD19N10TM_F080
ON Semiconductor

FQD19N10TM_F080

BAGIAN SAHAM: 733

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V,

Wishlist.
NTR4501NT1
ON Semiconductor

NTR4501NT1

BAGIAN SAHAM: 893

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.
FQA7N90M_F109
ON Semiconductor

FQA7N90M_F109

BAGIAN SAHAM: 568

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.
NTHS2101PT1G
ON Semiconductor

NTHS2101PT1G

BAGIAN SAHAM: 851

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Tj), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Wishlist.
FDP040N06
ON Semiconductor

FDP040N06

BAGIAN SAHAM: 859

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
FQD8P10TM_SB82052
ON Semiconductor

FQD8P10TM_SB82052

BAGIAN SAHAM: 585

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
FDMS8848NZ
ON Semiconductor

FDMS8848NZ

BAGIAN SAHAM: 650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22.8A (Ta), 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 22.8A, 10V,

Wishlist.
FQA7N90_F109
ON Semiconductor

FQA7N90_F109

BAGIAN SAHAM: 650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 3.7A, 10V,

Wishlist.
FDC645N_F095
ON Semiconductor

FDC645N_F095

BAGIAN SAHAM: 655

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.2A, 10V,

Wishlist.
FQP19N20C_F080
ON Semiconductor

FQP19N20C_F080

BAGIAN SAHAM: 670

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V,

Wishlist.
FDT86246
ON Semiconductor

FDT86246

BAGIAN SAHAM: 158528

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 236 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
FQPF3N90_NL
ON Semiconductor

FQPF3N90_NL

BAGIAN SAHAM: 717

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 1.05A, 10V,

Wishlist.
FDP8876
ON Semiconductor

FDP8876

BAGIAN SAHAM: 583

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4846NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4846NT3G

BAGIAN SAHAM: 595

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDD6770A
ON Semiconductor

FDD6770A

BAGIAN SAHAM: 706

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 24A, 10V,

Wishlist.
NTD5805NT4G
ON Semiconductor

NTD5805NT4G

BAGIAN SAHAM: 792

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4847NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4847NT1G

BAGIAN SAHAM: 670

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FCA16N60_F109
ON Semiconductor

FCA16N60_F109

BAGIAN SAHAM: 643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
IRF630BTSTU_FP001
ON Semiconductor

IRF630BTSTU_FP001

BAGIAN SAHAM: 748

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
IRFR130ATM
ON Semiconductor

IRFR130ATM

BAGIAN SAHAM: 719

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
NTHD2110TT1G
ON Semiconductor

NTHD2110TT1G

BAGIAN SAHAM: 614

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

Wishlist.
NTLJS1102PTAG
ON Semiconductor

NTLJS1102PTAG

BAGIAN SAHAM: 686

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Wishlist.
FQD6N60CTM
ON Semiconductor

FQD6N60CTM

BAGIAN SAHAM: 5668

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.
IRFU120ATU
ON Semiconductor

IRFU120ATU

BAGIAN SAHAM: 718

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.
FQA5N90_F109
ON Semiconductor

FQA5N90_F109

BAGIAN SAHAM: 661

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V,

Wishlist.
FDPF7N50F
ON Semiconductor

FDPF7N50F

BAGIAN SAHAM: 615

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.
SFP9Z24
ON Semiconductor

SFP9Z24

BAGIAN SAHAM: 719

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.9A, 10V,

Wishlist.
FQPF13N50CT
ON Semiconductor

FQPF13N50CT

BAGIAN SAHAM: 587

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
NTF6P02T3G
ON Semiconductor

NTF6P02T3G

BAGIAN SAHAM: 190215

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 4.5V,

Wishlist.
NTF3055L175T1G
ON Semiconductor

NTF3055L175T1G

BAGIAN SAHAM: 650

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

Wishlist.