Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
CPH6355-TL-H
ON Semiconductor

CPH6355-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1488

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 169 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
MCH3474-TL-H
ON Semiconductor

MCH3474-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1496

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
FQD4N20TM
ON Semiconductor

FQD4N20TM

BAGIAN SAHAM: 112819

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
RFD14N05LSM9A
ON Semiconductor

RFD14N05LSM9A

BAGIAN SAHAM: 122709

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 14A, 5V,

Wishlist.
NTD3055L170T4G
ON Semiconductor

NTD3055L170T4G

BAGIAN SAHAM: 146229

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

Wishlist.
NTMS4939NR2G
ON Semiconductor

NTMS4939NR2G

BAGIAN SAHAM: 173000

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
MTD3055V
ON Semiconductor

MTD3055V

BAGIAN SAHAM: 81636

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
FDMS8570SDC
ON Semiconductor

FDMS8570SDC

BAGIAN SAHAM: 48707

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.
FDN338P_G
ON Semiconductor

FDN338P_G

BAGIAN SAHAM: 1632

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Wishlist.
FDD6N50FTM
ON Semiconductor

FDD6N50FTM

BAGIAN SAHAM: 125363

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 2.75A, 10V,

Wishlist.
FDD3680
ON Semiconductor

FDD3680

BAGIAN SAHAM: 72752

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 6.1A, 10V,

Wishlist.
FCD360N65S3R0
ON Semiconductor

FCD360N65S3R0

BAGIAN SAHAM: 10817

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
MCH6341-TL-H
ON Semiconductor

MCH6341-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1502

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
FDD13AN06A0-F085
ON Semiconductor

FDD13AN06A0-F085

BAGIAN SAHAM: 10781

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
FQP47P06
ON Semiconductor

FQP47P06

BAGIAN SAHAM: 28356

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 23.5A, 10V,

Wishlist.
MCH3382-TL-H
ON Semiconductor

MCH3382-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1453

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 198 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
FDS5680
ON Semiconductor

FDS5680

BAGIAN SAHAM: 94850

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
FDPF39N20
ON Semiconductor

FDPF39N20

BAGIAN SAHAM: 37434

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 19.5A, 10V,

Wishlist.
SCH1333-TL-H
ON Semiconductor

SCH1333-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1529

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
FCD5N60TM
ON Semiconductor

FCD5N60TM

BAGIAN SAHAM: 116767

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.3A, 10V,

Wishlist.
FDD9410L-F085
ON Semiconductor

FDD9410L-F085

BAGIAN SAHAM: 10788

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
FDS8882
ON Semiconductor

FDS8882

BAGIAN SAHAM: 195188

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
NTD4813NHT4G
ON Semiconductor

NTD4813NHT4G

BAGIAN SAHAM: 136597

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDD7N25LZTM
ON Semiconductor

FDD7N25LZTM

BAGIAN SAHAM: 164105

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 3.1A, 10V,

Wishlist.
NTMS4801NR2G
ON Semiconductor

NTMS4801NR2G

BAGIAN SAHAM: 158632

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
NVB6410ANT4G
ON Semiconductor

NVB6410ANT4G

BAGIAN SAHAM: 27936

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

Wishlist.
NVD3055-094T4G-VF01
ON Semiconductor

NVD3055-094T4G-VF01

BAGIAN SAHAM: 199624

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
SFT1423-E
ON Semiconductor

SFT1423-E

BAGIAN SAHAM: 1464

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
IRFS540A
ON Semiconductor

IRFS540A

BAGIAN SAHAM: 1591

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.
CPH3360-TL-H
ON Semiconductor

CPH3360-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1485

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 303 mOhm @ 800mA, 10V,

Wishlist.
FDD6N50TM-F085
ON Semiconductor

FDD6N50TM-F085

BAGIAN SAHAM: 10831

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
FCD9N60NTM
ON Semiconductor

FCD9N60NTM

BAGIAN SAHAM: 51226

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
NVD4815NT4G
ON Semiconductor

NVD4815NT4G

BAGIAN SAHAM: 1529

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDFMA2P853T
ON Semiconductor

FDFMA2P853T

BAGIAN SAHAM: 1493

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
NVMFS5826NLT3G
ON Semiconductor

NVMFS5826NLT3G

BAGIAN SAHAM: 187762

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
FDD6030L
ON Semiconductor

FDD6030L

BAGIAN SAHAM: 106201

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.