Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
FCD4N60TM
ON Semiconductor

FCD4N60TM

BAGIAN SAHAM: 123974

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.
FDD3N50NZTM
ON Semiconductor

FDD3N50NZTM

BAGIAN SAHAM: 182917

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

Wishlist.
FDS8449
ON Semiconductor

FDS8449

BAGIAN SAHAM: 172297

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.6A, 10V,

Wishlist.
NTD4806NT4G
ON Semiconductor

NTD4806NT4G

BAGIAN SAHAM: 1460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDD3860
ON Semiconductor

FDD3860

BAGIAN SAHAM: 137907

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V,

Wishlist.
FDD8782
ON Semiconductor

FDD8782

BAGIAN SAHAM: 184276

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
HUFA76429D3ST-F085
ON Semiconductor

HUFA76429D3ST-F085

BAGIAN SAHAM: 10834

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
MCH3481-TL-H
ON Semiconductor

MCH3481-TL-H

BAGIAN SAHAM: 133675

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
FDD5612
ON Semiconductor

FDD5612

BAGIAN SAHAM: 181400

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5.4A, 10V,

Wishlist.
FQD9N25TM
ON Semiconductor

FQD9N25TM

BAGIAN SAHAM: 194951

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4846NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4846NT1G

BAGIAN SAHAM: 1493

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDD8451
ON Semiconductor

FDD8451

BAGIAN SAHAM: 179780

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
NVD5C688NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C688NLT4G

BAGIAN SAHAM: 169862

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27.4 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
FDFME3N311ZT
ON Semiconductor

FDFME3N311ZT

BAGIAN SAHAM: 112374

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Wishlist.
NTMS4816NR2G
ON Semiconductor

NTMS4816NR2G

BAGIAN SAHAM: 134619

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
FQD12N20LTM
ON Semiconductor

FQD12N20LTM

BAGIAN SAHAM: 172334

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
FDD8876
ON Semiconductor

FDD8876

BAGIAN SAHAM: 191074

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
FDD8N50NZTM
ON Semiconductor

FDD8N50NZTM

BAGIAN SAHAM: 108163

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.25A, 10V,

Wishlist.
SFT1431-E
ON Semiconductor

SFT1431-E

BAGIAN SAHAM: 1438

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.
FDD3682
ON Semiconductor

FDD3682

BAGIAN SAHAM: 122610

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V,

Wishlist.
NTD4809NT4G
ON Semiconductor

NTD4809NT4G

BAGIAN SAHAM: 168968

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 11.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDD8453LZ
ON Semiconductor

FDD8453LZ

BAGIAN SAHAM: 127880

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
FQD6N25TM
ON Semiconductor

FQD6N25TM

BAGIAN SAHAM: 106724

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
FDS6673BZ
ON Semiconductor

FDS6673BZ

BAGIAN SAHAM: 128837

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
HUF75829D3S
ON Semiconductor

HUF75829D3S

BAGIAN SAHAM: 1552

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
FDD8882
ON Semiconductor

FDD8882

BAGIAN SAHAM: 184271

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
STDV3055L104T4G
ON Semiconductor

STDV3055L104T4G

BAGIAN SAHAM: 126845

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
FDD6612A
ON Semiconductor

FDD6612A

BAGIAN SAHAM: 187530

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.5A, 10V,

Wishlist.
NDD04N60ZT4G
ON Semiconductor

NDD04N60ZT4G

BAGIAN SAHAM: 137327

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Wishlist.
FDD3682-F085
ON Semiconductor

FDD3682-F085

BAGIAN SAHAM: 10800

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 32A, 10V,

Wishlist.
NTP22N06L
ON Semiconductor

NTP22N06L

BAGIAN SAHAM: 1549

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 11A, 5V,

Wishlist.
FDZ294N
ON Semiconductor

FDZ294N

BAGIAN SAHAM: 6170

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V,

Wishlist.
FCB20N60F-F085
ON Semiconductor

FCB20N60F-F085

BAGIAN SAHAM: 1567

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
FDS86267P
ON Semiconductor

FDS86267P

BAGIAN SAHAM: 112257

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 255 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
SFT1341-W
ON Semiconductor

SFT1341-W

BAGIAN SAHAM: 1445

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist.
FDD6696
ON Semiconductor

FDD6696

BAGIAN SAHAM: 1595

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.