Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
NDS0605
ON Semiconductor

NDS0605

BAGIAN SAHAM: 193296

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
NVD5C454NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C454NLT4G

BAGIAN SAHAM: 231

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
FDMS86263P
ON Semiconductor

FDMS86263P

BAGIAN SAHAM: 63223

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist.
FDN359BN
ON Semiconductor

FDN359BN

BAGIAN SAHAM: 238

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist.
FDC86244
ON Semiconductor

FDC86244

BAGIAN SAHAM: 145074

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.3A, 10V,

Wishlist.
FDP023N08B-F102
ON Semiconductor

FDP023N08B-F102

BAGIAN SAHAM: 208

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.35 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
FDMT80080DC
ON Semiconductor

FDMT80080DC

BAGIAN SAHAM: 26898

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 36A, 10V,

Wishlist.
FDMC610P
ON Semiconductor

FDMC610P

BAGIAN SAHAM: 82188

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 22A, 4.5V,

Wishlist.
FDMC86265P
ON Semiconductor

FDMC86265P

BAGIAN SAHAM: 158516

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
CPH6341-TL-W
ON Semiconductor

CPH6341-TL-W

BAGIAN SAHAM: 155297

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
FDMS8023S
ON Semiconductor

FDMS8023S

BAGIAN SAHAM: 156269

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.
FDMS003N08C
ON Semiconductor

FDMS003N08C

BAGIAN SAHAM: 244

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 56A, 10V,

Wishlist.
NDS332P
ON Semiconductor

NDS332P

BAGIAN SAHAM: 165283

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.1A, 4.5V,

Wishlist.
SSN1N45BTA
ON Semiconductor

SSN1N45BTA

BAGIAN SAHAM: 131023

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.
FDN357N
ON Semiconductor

FDN357N

BAGIAN SAHAM: 163365

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
FDMC86248
ON Semiconductor

FDMC86248

BAGIAN SAHAM: 74721

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wishlist.
FDMC8622
ON Semiconductor

FDMC8622

BAGIAN SAHAM: 118959

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
FDMS86101DC
ON Semiconductor

FDMS86101DC

BAGIAN SAHAM: 41866

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
FDC608PZ
ON Semiconductor

FDC608PZ

BAGIAN SAHAM: 128970

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wishlist.
FQPF32N20C
ON Semiconductor

FQPF32N20C

BAGIAN SAHAM: 25352

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
FDC30N20DZ
ON Semiconductor

FDC30N20DZ

BAGIAN SAHAM: 108918

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist.
FDT86256
ON Semiconductor

FDT86256

BAGIAN SAHAM: 158592

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 845 mOhm @ 1.2A, 10V,

Wishlist.
FDWS9508L-F085
ON Semiconductor

FDWS9508L-F085

BAGIAN SAHAM: 235

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4H02NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H02NT3G

BAGIAN SAHAM: 37153

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 193A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDWS9509L-F085
ON Semiconductor

FDWS9509L-F085

BAGIAN SAHAM: 215

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 65A, 10V,

Wishlist.
FDT86113LZ
ON Semiconductor

FDT86113LZ

BAGIAN SAHAM: 118545

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
NTMS4920NR2G
ON Semiconductor

NTMS4920NR2G

BAGIAN SAHAM: 159124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
FDC2512
ON Semiconductor

FDC2512

BAGIAN SAHAM: 110766

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 425 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wishlist.
FCH76N60N
ON Semiconductor

FCH76N60N

BAGIAN SAHAM: 2938

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 38A, 10V,

Wishlist.
FQT5P10TF
ON Semiconductor

FQT5P10TF

BAGIAN SAHAM: 168533

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
FDBL9401-F085
ON Semiconductor

FDBL9401-F085

BAGIAN SAHAM: 215

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
FDMC8360L
ON Semiconductor

FDMC8360L

BAGIAN SAHAM: 79547

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 27A, 10V,

Wishlist.
FDC3535
ON Semiconductor

FDC3535

BAGIAN SAHAM: 193435

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 183 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist.
FDN8601
ON Semiconductor

FDN8601

BAGIAN SAHAM: 190215

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
FDC602P
ON Semiconductor

FDC602P

BAGIAN SAHAM: 124840

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Wishlist.
FDMC86116LZ
ON Semiconductor

FDMC86116LZ

BAGIAN SAHAM: 185556

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.