Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
FDMS86550ET60
ON Semiconductor

FDMS86550ET60

BAGIAN SAHAM: 38559

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 32A, 10V,

Wishlist.
FDB0105N407L
ON Semiconductor

FDB0105N407L

BAGIAN SAHAM: 22782

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 460A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NTMFS5C430NT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C430NT1G

BAGIAN SAHAM: 65621

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C05NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C05NT1G

BAGIAN SAHAM: 195533

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDB86566-F085
ON Semiconductor

FDB86566-F085

BAGIAN SAHAM: 207

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
FDMS4D4N08C
ON Semiconductor

FDMS4D4N08C

BAGIAN SAHAM: 198

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 44A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C09NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C09NAT1G

BAGIAN SAHAM: 111820

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDMC010N08LC
ON Semiconductor

FDMC010N08LC

BAGIAN SAHAM: 114

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
FDMC013P030Z
ON Semiconductor

FDMC013P030Z

BAGIAN SAHAM: 66508

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
FDD9507L-F085
ON Semiconductor

FDD9507L-F085

BAGIAN SAHAM: 138

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C027NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C027NT3G

BAGIAN SAHAM: 181483

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
FCP290N80
ON Semiconductor

FCP290N80

BAGIAN SAHAM: 20723

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A302PLZT4G

BAGIAN SAHAM: 67654

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
NTMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C430NLT1G

BAGIAN SAHAM: 76552

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NTMFS5C670NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C670NLT1G

BAGIAN SAHAM: 138929

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
MCH6336-TL-W
ON Semiconductor

MCH6336-TL-W

BAGIAN SAHAM: 115488

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
FDMC2514SDC
ON Semiconductor

FDMC2514SDC

BAGIAN SAHAM: 61693

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 22.5A, 10V,

Wishlist.
NDFPD1N150CG
ON Semiconductor

NDFPD1N150CG

BAGIAN SAHAM: 42184

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Wishlist.
NTMFS4899NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4899NFT1G

BAGIAN SAHAM: 126804

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4982NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4982NFT1G

BAGIAN SAHAM: 85090

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26.5A (Ta), 207A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C10NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NT1G

BAGIAN SAHAM: 163012

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDMC2D8N025S
ON Semiconductor

FDMC2D8N025S

BAGIAN SAHAM: 115083

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 124A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C08NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C08NT3G

BAGIAN SAHAM: 187076

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
FDMS0312S
ON Semiconductor

FDMS0312S

BAGIAN SAHAM: 188964

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
NTMFS5C628NLT3G
ON Semiconductor

NTMFS5C628NLT3G

BAGIAN SAHAM: 99884

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
FDS3590
ON Semiconductor

FDS3590

BAGIAN SAHAM: 125852

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C302NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C302NT1G

BAGIAN SAHAM: 236

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4C024NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C024NT1G

BAGIAN SAHAM: 161837

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDBL0630N150
ON Semiconductor

FDBL0630N150

BAGIAN SAHAM: 24111

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 169A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
FQPF20N06
ON Semiconductor

FQPF20N06

BAGIAN SAHAM: 42857

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
NTMFS5C442NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C442NLT1G

BAGIAN SAHAM: 125065

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
NVMS5P02R2G
ON Semiconductor

NVMS5P02R2G

BAGIAN SAHAM: 188044

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Wishlist.
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C06NBT1G

BAGIAN SAHAM: 141584

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDB9409-F085
ON Semiconductor

FDB9409-F085

BAGIAN SAHAM: 184

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor

NTMFS10N3D2C

BAGIAN SAHAM: 197

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 151A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 67A, 10V,

Wishlist.
FDMS8350LET40
ON Semiconductor

FDMS8350LET40

BAGIAN SAHAM: 40458

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 47A, 10V,

Wishlist.