Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
FQPF20N06L
ON Semiconductor

FQPF20N06L

BAGIAN SAHAM: 57269

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.85A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4H01NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT3G

BAGIAN SAHAM: 22706

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 334A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDD050N03B
ON Semiconductor

FDD050N03B

BAGIAN SAHAM: 199639

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.
FDB2552
ON Semiconductor

FDB2552

BAGIAN SAHAM: 57289

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
MCH3478-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3478-TL-W-Z

BAGIAN SAHAM: 196866

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V,

Wishlist.
MCH3479-TL-W
ON Semiconductor

MCH3479-TL-W

BAGIAN SAHAM: 114695

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
FDD6630A
ON Semiconductor

FDD6630A

BAGIAN SAHAM: 167158

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.6A, 10V,

Wishlist.
FDB070AN06A0
ON Semiconductor

FDB070AN06A0

BAGIAN SAHAM: 59371

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
NVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A112PLZT4G

BAGIAN SAHAM: 163879

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.
ECH8315-TL-H
ON Semiconductor

ECH8315-TL-H

BAGIAN SAHAM: 175911

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.
FDPF190N15A
ON Semiconductor

FDPF190N15A

BAGIAN SAHAM: 29084

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 27.4A, 10V,

Wishlist.
NTP6410ANG
ON Semiconductor

NTP6410ANG

BAGIAN SAHAM: 34781

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

Wishlist.
FQB6N80TM
ON Semiconductor

FQB6N80TM

BAGIAN SAHAM: 27873

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V,

Wishlist.
FDB035N10A
ON Semiconductor

FDB035N10A

BAGIAN SAHAM: 24746

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
MCH3383-TL-W
ON Semiconductor

MCH3383-TL-W

BAGIAN SAHAM: 186098

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0.9V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

Wishlist.
FQD19N10TM
ON Semiconductor

FQD19N10TM

BAGIAN SAHAM: 190200

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V,

Wishlist.
FQB33N10LTM
ON Semiconductor

FQB33N10LTM

BAGIAN SAHAM: 95450

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V,

Wishlist.
HUF75639S3ST
ON Semiconductor

HUF75639S3ST

BAGIAN SAHAM: 54485

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Wishlist.
FQD8P10TM-F085
ON Semiconductor

FQD8P10TM-F085

BAGIAN SAHAM: 138

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
FDP047N08-F102
ON Semiconductor

FDP047N08-F102

BAGIAN SAHAM: 114

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 164A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 80A, 10V,

Wishlist.
CPH6443-TL-W
ON Semiconductor

CPH6443-TL-W

BAGIAN SAHAM: 103186

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 35V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
MCH3374-TL-E
ON Semiconductor

MCH3374-TL-E

BAGIAN SAHAM: 174170

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
CPH6444-TL-W
ON Semiconductor

CPH6444-TL-W

BAGIAN SAHAM: 190869

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
FQD4P25TM-WS
ON Semiconductor

FQD4P25TM-WS

BAGIAN SAHAM: 76

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V,

Wishlist.
FQD7N20LTM
ON Semiconductor

FQD7N20LTM

BAGIAN SAHAM: 186597

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V,

Wishlist.
NTNS3190NZT5G
ON Semiconductor

NTNS3190NZT5G

BAGIAN SAHAM: 188849

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 224mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.
NCV8440ASTT3G
ON Semiconductor

NCV8440ASTT3G

BAGIAN SAHAM: 158511

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 59V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.6A, 10V,

Wishlist.
FQD5N20LTM
ON Semiconductor

FQD5N20LTM

BAGIAN SAHAM: 197937

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Wishlist.
NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT1G

BAGIAN SAHAM: 20737

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 334A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A140PLZWFT1G

BAGIAN SAHAM: 112

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
MCH6431-TL-W
ON Semiconductor

MCH6431-TL-W

BAGIAN SAHAM: 146667

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
FDD4243-F085
ON Semiconductor

FDD4243-F085

BAGIAN SAHAM: 73

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

Wishlist.
FDS4465-F085
ON Semiconductor

FDS4465-F085

BAGIAN SAHAM: 119

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

Wishlist.
FQP70N10
ON Semiconductor

FQP70N10

BAGIAN SAHAM: 30568

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 28.5A, 10V,

Wishlist.
NVD5C478NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C478NLT4G

BAGIAN SAHAM: 100

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
NTGS3446T1G
ON Semiconductor

NTGS3446T1G

BAGIAN SAHAM: 184967

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

Wishlist.